AIXTRON Pressemeldungen

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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

05. Juli 2012 | Pressemeldungen

Projekt TECHNOTUBES: AIXTRON demonstriert neue BM 300T-Anlage für Kohlenstoff-Nanoröhren

AIXTRON SE stellt zum Abschluss des Projekts TECHNOTUBES (Technology for Wafer-Scale Carbon Nanotubes) die automatisierte BM 300T-Anlage vor. Der Schwerpunkt des von der Europäischen Kommission geförderten Projekts lag auf der Entwicklung von Wachstumsprozessen, Qualitätskontrollen, Automatisierung und einer Reihe möglicher Endanwendungen auf Basis von Kohlenstoff-Nanoröhren. Drei Jahre lang arbeiteten die Universität Cambridge (als Koordinator), die ETH Zürich, TU Dänemark, TU Berlin, das Fritz Haber Institut, CNR-Triest, Philips, THALES, die Cambridge CMOS Sensors, IMEC sowie AIXTRON als Projektpartner zusammen.

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03. Juli 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON liefert neue ALD-Anlagengeneration QXP-8300 an namhaften Kunden aus Korea

AIXTRON SE, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen und -lösungen für die Halbleiterindustrie, hat von einem namhaften koreanischen DRAM-Hersteller einen Auftrag über mehrere QXP-8300 ALD*-Anlagen erhalten. Die QXP-8300 für DRAM-Speicherchips mit Strukturgrößen unter 30 nm wird wertvolle Unterstützung bei der Massenproduktion fortschrittlichster DRAM-Technologie leisten.

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26. Juni 2012 | Pressemeldungen

NCHU in Taiwan: GaN-auf-Siliziumforschung mit AIXTRON CCS-Anlage

Die National Chung Hsing University (NCHU), eine der führenden technischen Universitäten Taiwans, wird künftig eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead (CCS) MOCVD-Anlage für ihre Forschungsarbeit einsetzen. Es ist die erste AIXTRON Anlage für die Universität.

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20. Juni 2012 | Pressemeldungen

Tim Wang zum Geschäftsführer von AIXTRON China Ltd. bestellt

AIXTRON SE hat Tim Wang zum neuen Geschäftsführer der chinesischen Niederlassung AIXTRON China Ltd. ernannt.

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14. Juni 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON erhält LEDinside Aurora Award 2012

Auszeichnung für beste MOCVD-Technologie CRIUS II-XL Im Rahmen des LEDforums 2012 im chinesischen Guangzhou ist AIXTRON mit dem LEDinside Aurora Award in der Kategorie „Beste MOCVD-Technologie" ausgezeichnet worden. Der Preis wird für herausragende Produkte und Leistungen in der LED-Industrie vergeben. Der deutsche Hersteller erhielt die Auszeichnung für seine moderne CRIUS II-XL- Technologie.

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12. Juni 2012 | Pressemeldungen

Plessey bestellt AIXTRON CRIUS II-XL-Anlage für die GaN-auf-Si LED-Produktion

Die englische Plessey Semiconductors Ltd. hat eine produktionsfähige CRIUS II-XL MOCVD-Anlage in einer 7x6-Zoll-Konfiguration bestellt und weitere Anlagenkäufe des gleichen Typs angekündigt. Damit will Plessey GaN-LEDs auf Siliziumwafern entwickeln.

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Veranstaltungskalender

Event	Datum	Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2025	Datum 31.07.2025	Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Quartalsbericht Q3/2025	Datum 30.10.2025	Erinnerung Erinnerung

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Projekt TECHNOTUBES: AIXTRON demonstriert neue BM 300T-Anlage für Kohlenstoff-Nanoröhren

AIXTRON liefert neue ALD-Anlagengeneration QXP-8300 an namhaften Kunden aus Korea

NCHU in Taiwan: GaN-auf-Siliziumforschung mit AIXTRON CCS-Anlage

Tim Wang zum Geschäftsführer von AIXTRON China Ltd. bestellt

AIXTRON erhält LEDinside Aurora Award 2012

Plessey bestellt AIXTRON CRIUS II-XL-Anlage für die GaN-auf-Si LED-Produktion

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