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Pressemeldungen

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Zeitraum
07. August 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON bringt PRODOS-200 PVPD™ F&E-Anlage auf den Markt

Hochmodulares Konzept zur Herstellung neuer polymerer Materialien für die flexible Elektronik

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31. Juli 2012 | Pressemeldungen

Finisar bestellt weitere AIXTRON G4-Anlage

Die Finisar Corporation, ein Marktführer in der optischen Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation, hat sich erneut für eine MOCVD-Anlage von AIXTRON entschieden. Mit einer weiteren automatisierten AIX 2800G4-TM-Anlage wird der amerikanische Hersteller Indiumphosphid (InP)-Materialien für Laser und Detektoren entwickeln.

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24. Juli 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON führt AIX G5+ in den Markt ein

GaN-auf-Si-Technologie auf 5x200 mm AIX G5-Plattform

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17. Juli 2012 | Pressemeldungen

EpiGaN: 8-Zoll GaN-auf-Si-Entwicklung auf AIXTRON Anlagen erfolgreich gestartet

Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zwei MOCVD-Anlagen von AIXTRON erfolgreich in Betrieb genommen.

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10. Juli 2012 | Pressemeldungen

TRUMPF Photonics bestellt AIX 2800G4-TM-Anlage von AIXTRON

Die amerikanische TRUMPF Photonics mit Sitz in Princeton, NJ, USA, hat eine AIX 2800G4-TM MOCVD-Anlage für Anwendungen im Bereich der Hochleistungslaser erhalten.

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Veranstaltungskalender

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Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2025 Datum 31.07.2025 Erinnerung Erinnerung
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