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Pressemeldungen

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Zeitraum
11. Mai 2012 | Pressemeldungen

Dow Corning bestellt zusätzliche SiC-Planetenreaktoren von AIXTRON

Steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid fördert weitere Expansion

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08. Mai 2012 | Pressemeldungen

Universität Warschau erforscht Galliumnitrid mit AIXTRON CCS-Anlage

Die Universität Warschau in Polen hat im vierten Quartal 2011 eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead- (CCS) Anlage von AIXTRON erworben. Die MOCVD-Anlage ist für die Abscheidung von Galliumnitrid (GaN) vorgesehen und wird im zweiten Halbjahr 2012 ausgeliefert.

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03. Mai 2012 | Pressemeldungen

FOREPI ordert weitere AIXTRON CRIUS II-XL- und G5 HT-Anlagen

Die Formosa Epitaxy Inc. (FOREPI) – langjähriger AIXTRON Kunde – hat im zweiten Quartal 2012 mehrere neue MOCVD-Anlagen bestellt. Die vier 19x4-Zoll CRIUS II-XL-Anlagen und zwei 14x4-Zoll G5 HT-Anlagen sind für die Herstellung GaN-basierter blauer und weißer LEDs vorgesehen.

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24. April 2012 | Pressemeldungen

Changchun University of Science and Technology entwickelt Laser mit neuer AIXTRON Anlage

Die Changchun University of Science and Technology (CUST) in China hat erstmals einen Multi-Wafer MOCVD-Reaktor von AIXTRON bestellt. Damit sollen quaternäre Materialien für die Herstellung von Laserdioden entwickelt werden.

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