AIXTRON Auftrags- und Umsatzniveau spiegelt aktuelles Nachfragetief wider / AIXTRON baut F&E-Investitionen während Marktrückgang weiter aus / Operative Profitabilität weiterhin angestrebt

Changchun University of Science and Technology entwickelt Laser mit neuer AIXTRON Anlage

Die Changchun University of Science and Technology (CUST) in China hat erstmals einen Multi-Wafer MOCVD-Reaktor von AIXTRON bestellt. Damit sollen quaternäre Materialien für die Herstellung von Laserdioden entwickelt werden.

MicroLink bestellt weitere AIX 2800G4-Anlage von AIXTRON

Im Zuge einer erneuten Kapazitätssteigerung für HBT*-Transistoren und Solarzellen hat der US-amerikanische Hersteller MicroLink Devices mit Sitz in Niles, IL, im dritten Quartal 2011 eine weitere AIX 2800G4-Anlage mit vollautomatischer Waferbeladung bestellt. Die Auslieferung der neuen Anlage ist für das zweite Quartal 2012 geplant.

AIST entwickelt Graphen auf 300 mm Wafern mit AIXTRON Anlage

Das National Institute Advanced Industrial Science and Technology (AIST) in Japan hat eine AIXTRON BM 300-Anlage erfolgreich in Betrieb genommen. Die Anlage wurde 2011 von AIXTRONs Serviceteam im Reinstraum des japanischen Instituts in Tsukuba installiert. Im Rahmen der MRS Spring Konferenz 2012 präsentierte AIST-Gruppenleiter Dr. Shintaro Sato am 10. April die Resultate.

Fujian Institute of Research in China erforscht Laser für die Telekommunikation mit AIXTRON CCS-Anlage

Das Fujian Institute of Research on the Structure of Matter (FJIRSM) in China – ein Institut der Chinese Academy of Sciences – wird künftig Laserdioden für die Telekommunikation mit einem 6x2-Zoll CCS-Reaktor von AIXTRON erforschen.

TU Ilmenau entwickelt III-V-Solarzellen mit AIXTRON F&E-Anlage

Die Technische Universität Ilmenau, eines der führenden Forschungsinstitute Deutschlands, hat eine AIXTRON MOCVD-Anlage in einer doppelten 1x2-Zoll Waferkonfiguration bestellt. Damit will der AIXTRON Kunde neue Materialien und Strukturen für die III-V-basierte Optoelektronik, die hocheffiziente Konzentrator-Photovoltaik sowie für die Integration von III-V-Halbleitern auf Silizium und Germanium entwickeln.