Die Zukunft fährt mit Siliziumkarbid

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial, das sich ausgezeichnet für elektrische Anwendungen bei hohen Leistungen und Frequenzen eignet. Schnelle, verlustfreie SiC-Schottky-Dioden sorgen für effiziente und kompakte Lösungen für Schaltnetzteile, die bereits in Computer-Servern eingesetzt werden. Leistungsgleichrichtermodule, die mithilfe von SiC-Gleichrichtern und Transistoren leichter und kompakter ausgeführt werden können, zeigen ein vielversprechendes Potenzial für den zukünftigen Einsatz in Hybrid- oder Elektrofahrzeugen.

Bei dieser Anlage ist der horizontale Warmwand-Reaktor mit der Mehrfachrotation der Substratträger, der sogenannten Gas Foil Rotation (GFR), kombiniert. Während des Beschichtungsprozesses werden durch die Rotation der Substratträger sehr homogene Schichten erzielt, die für moderne Hochleistungsbauelemente benötigt werden. Mit dem patentierten Transfersystem kann der Reaktor manuell mit den Substratträgern be- und entladen werden. Auf Wunsch bietet eine zweite Beschichtungskammer mehr Flexibilität und einen höheren Durchsatz der Anlage.