Pressemeldungen

AIXTRON gibt vorläufige Ergebnisse für das dritte Quartal 2025 bekannt und passt Prognose für das Gesamtjahr 2025 an

EQS-Media / 17.10.2025 / 14:40 CET/CEST AIXTRON gibt vorläufige Ergebnisse für das dritte Quartal 2025 bekannt und passt Prognose für das Gesamtjahr 2025 an   Herzogenrath, 17. Oktober 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6 ) passt seine Prognose für das Geschäftsjahr 2025 angesichts des schwachen

AIXTRON SE gibt vorläufige Ergebnisse für das dritte Quartal 2025 bekannt und passt Prognose für das Gesamtjahr 2025 an

AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

EQS-Media / 07.10.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei   Herzogenrath, 7. Oktober 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem 300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik.

Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

EQS-Media / 30.09.2025 / 07:30 CET/CEST Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert   Herzogenrath, 30. September 2025 – Die Cornell University in Ithaca, New York, hat ein hochmodernes Close Coupled Showerhead® (CCS) Metal-Organic

AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert

EQS-Media / 22.09.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert   Herzogenrath, 22. September 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert sein 100. G10-SiC-System aus. Dieser Meilenstein unterstreicht die starke Marktnachfrage nach der G10-SiC-Epitaxie-Batch-Technologie

Anhaltende Auftragsdynamik in der Optoelektronik im Q2