Das Trainings-Netzwerk zur Ausbildung junger Wissenschaftler mit dem Titel "Piezoelectric Energy Harvesters for Self-Powered Automotive Sensors: From Advanced Lead-Free Materials to Smart Systems (ENHANCE)" bietet jungen Wissenschaftlern (Early Stage Researcher, ESR) eine umfassende und intensive Ausbildung in einem multidisziplinären Forschungs- und Lehrumfeld. Zu den wichtigsten Schulungsthemen gehört die Entwicklung von Energiequellen (Energy Harvesters), die mit der MEMS-Technologie kompatibel sind und in der Lage sind, drahtlose Sensoren zu betreiben. Diese Technologie, die auf Automobile angewendet wird, ermöglicht 50 kg Gewichtseinsparung, Vereinfachung der Verbindungen, Platzersparnis und geringere Wartungskosten - alles wichtige Schritte zur Schaffung umweltfreundlicher Fahrzeuge. Weitere wichtige Themen sind Technologieinnovation, Bildung und Persönlichkeitsbildung.

ENHANCE vernetzt weltweit führende Forschungsgruppen an akademischen Einrichtungen, um einen kombinierten, integrierten Ansatz aus Synthese/Herstellung, Charakterisierung, Modellierung/Theorie in Verbindung mit Konzepten zur Materialintegration in Geräte und Systeme zu bieten. Ein solcher wissenschaftlich gestützter Gesamtingenieuransatz wird zu effizienten piezoelektrischen Energiewandlern führen, die für die Automobilindustrie geeignet sind. Die ESRs werden sich auf dieses gemeinsame Forschungsziel konzentrieren und dabei einen multidisziplinären Bottom-up-Ansatz anwenden, der sich wie folgt zusammenfassen lässt: "neues Molekül - fortschrittliches Material – neue Bauelemente - intelligentes System". Der Hauptzweck des ENHANCE-Projekts ist die Schaffung einer multidisziplinären gemeinsamen Forschungsaktivität, die Chemie, Materialwissenschaft, Physik, Mechanik, Technik und Elektronik umfasst, um Energiequellen mit hoher Leistungsdichte und Systeme daraus mit stabilisierter Ausgangsspannung im Bereich von 1-3 V zu schaffen. Diese sollen an die spezifischen Bedürfnisse von Sensoren mit hoher Autonomie angepasst sein und in Temperaturbereichen von Raumtemperatur (RT) bis 600 °C in Fahrzeugen arbeiten. Wir schlagen vor, eine hybride Nutzung der in den Autos verfügbaren Energien zu entwickeln die Wärme (Th), Licht (Lt), Vibration (vi)) und/oder mehrere Umwandlungseffekte gleichzeitig nutzen. Dabei sollen piezoelektrische (Pi) - pyroelektrische (Py) - elektromagnetische (EM)  oder photovoltaische (PV) Effekte durch den gleichen Wandler basierend auf piezoelektrischen/ferroelektrischen/multiferroskopischen Kristallen, Schichten oder Nanostrukturen genutzt werden.

Der Ansatz der hybriden Energiegewinnung mit einem einzigen Wandler, der eine zeiteffiziente und vereinfachte Herstellung des Hybridsystems ermöglicht, steht im Einklang mit den Endzielen des Projekts. Diese sind die Schaffung von Systemen von Schwingungs-, Wärme- und Lichtenergiefängern nicht nur mit einer ausreichenden Effizienz der Energiegewinnung (300-500 μW/cm2/g2), sondern auch mit einem angemessenen Preis und tragfähigen Technologien zur Herstellung und Integration für industrielle Anwendungen.

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Die moderne Gesellschaft stützt sich auf eine Vielzahl von elektrischen und elektronischen Einrichtungen, von der Kommunikation über die industrielle Fertigung bis hin zur E-Mobilität. Etwa 80% von ihnen benötigen die Umwandlung von Primärstrom in eine andere Form von Strom. Daher ist eine hocheffiziente elektrische Energieumwandlung entscheidend. Hauptsächlich hängt dies von den verwendeten Leistungsschalttransistoren ab, welche einen möglichst niederohmigen flächenspezifischen Einschaltzustand bei gleichzeitig hoher Sperrspannung aufweisen sollten. Neue Halbleitermaterialien mit hohem Bandabstand (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) erreichen gegenüber Silizium eine höhere Durchbruchfeldstärke und können daher weit kompakter aufgebaut werden. Auf dieser Basis konnten bereits leistungselektronische Konverter mit höherer Effizienz demonstriert werden.  

Das neue Halbleitermaterial Galliumoxid (Ga2O3) mit seiner gegenüber SiC und GaN mehr als doppelt so hohen Durchbruchfeldstärke besitzt das Potenzial den Wirkungsgrad von damit bestückten Leistungskonvertern noch weiter zu steigern. Daher besteht seit etwa sechs Jahren weltweites Interesse in der Erforschung neuer leistungselektronischer Halbleiterbauelemente auf Basis von Ga2O3. Ziel von ForMIkro-GoNext ist es, voll funktionsfähige vertikale Ga2O3-Transistoren zu demonstrieren. Zur Erreichung dieses Ziels, müssen Kristallzucht, Epitaxie und Prozesstechnologie weiterentwickelt und aufeinander abgestimmt werden.

Projektpartner: Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) / Ferdinand-Braun-Institut / Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) / Universität Bremen / ABB / AIXTRON SE.

Das Verbundprojekt wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) gefördert.

Pressemitteilung

The Chancellor, Masters and Scholars of the University of Cambridge, Großbritannien / University of Cambridge, Großbritannien / AIXTRON SE, Deutschland / Cambridge CMOS Sensors Limited, Großbritannien / Commissariat a l’ Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Frankreich / INTEL Performance Learning Solutions Limited, Irland / Thales SA, Frankreich / Centre National de la Recherche Scientifique, Frankreich / Ecole Polytechnique Federal de Lausanne, Schweiz / Danmarks Tekniske Universitet, Dänemark / Philips Technologie GmbH, Deutschland / Max Planck Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., Deutschland / Gesellschaft für angewandte Mikro- und Optoelektronik mit beschränkter Haftung AMO GmbH, Deutschland / The Provost, Fellows, Foundation Scholars & the other Members of Board of the College of the Holy & Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin, Irland / Graphenea S.A., Spanien

Die Verbundpartner haben bereits vielversprechende Ergebnisse bei der Entwicklung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Silizium erzielt. Vor einer industriellen Nutzung müssen aber noch weitere Verbesserungen hinsichtlich Leistung der Bauelemente und Produktionskosten erreicht werden. Hierzu gehören konkret eine Reduktion der Versetzungsdichte in den III-V Solarzellenschichten von heute 108 cm^-2 in den Bereich von 1-5*10⁶ cm^-2, die Demonstration von Solarzellen mit Wirkungsgraden > 30 % und die Optimierung der Wirtschaftlichkeit der MOVPE Wachstumsprozesse. Das vorliegende „MehrSi" Projekt adressiert die wichtigsten Entwicklungsschritte auf diesem Weg. Dabei sollen insbesondere die folgenden Ziele erreicht werden:
 

• Verbessertes Verständnis der Nukleation von GaP bzw. Al_xGa1-_xP auf Silizium inklusive des Einflusses von Arsen und von n-Dotierstoffen wie Si oder Te;
• Entwicklung schneller III-V Nukleationsprozesse durch Variation von Si-Vorbehandlung, -Temperatur, -Heiz- bzw. -Kühlrate;
• Entwicklung von Übergangsschichten in der Gitterkonstante von Si zu den III-V Solarzellenschichten mit < 5*10⁶ Versetzungen/cm²;
• Weltweit erstmals Herstellung von III-V Mehrfachsolarzellen auf Si mit > 30 % Wirkungsgrad;
• Kostenanalyse für den Einsatz von III-V-Si Mehrfachsolarzellen in photovoltaischen Flachmodulen und Entwicklung einer Verwertungsstrategie mit Deutschen und/oder Europäischen Solarfirmen;
• Entwicklung kostengünstiger MOVPE Abscheideprozesse mit dem Potential zur Skalierung auf große Flächen;
• Ausbildung von Masteranden und Doktoranden in einem exzellenten wissenschaftlichen Umfeld und Publikation wichtiger Ergebnisse in angesehenen wissenschaftlichen Fachzeitschriften.

Weitergehende Informationen

Die Hauptziele des SiTaSol-Projekts sind:

• Nachweis einer zweipoligen, zweipoligen III-V/Si-Tandemsolarzelle mit einem Wirkungsgrad von > 26% und einem Ziel von 30% unter Verwendung von weniger als 5 µm III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Diese Zelle wird einen Drop-In-Ersatz für die heutigen c-Si-Solarzellen mit minimalen Änderungen an der PV-Zelle und dem Modul ermöglichen.

• Demonstration von PV-Prototypenmodulen (einschließlich 2-10 Zellen in Serie) mit einem Wirkungsgrad von > 24%.

• Validierung von Prozessen zur Vorbereitung des Wachstumssubstrats, die mit den Kostenzielen von 0,05 € pro 243 cm² Wafer kompatibel sind.

• Validierung skalierbarer Epitaxieprozesse für die III-V-Absorberschichtabscheidung mit einer Wachstumsrate von 100 µm/h, einer Abscheidungseffizienz von 35% und einem V/III-Verhältnis von 3, die mit den Kostenzielen von 0,62 € pro 243 cm²-Wafer kompatibel sind, und Bau eines Reaktor-Prototyps mit einer Abscheidefläche von mindestens 100 cm².

• Untersuchung von Abfallbehandlungs- und Recyclingverfahren für Wasserstoff und Metalle, die aus dem III-V-Wachstum stammen und mit den Kostenzielen von 0,1 € pro 243 cm² Wafer vereinbar sind.

• Validierung skalierbarer Verarbeitungswege für III-V/Si-Tandemsolarzellen, die mit den Leistungs- und Kostenzielen kompatibel sind.

• Durchführung einer detaillierten Lebenszyklus-Bewertung unter Berücksichtigung sozioökonomischer und ökologischer Aspekte.

• Erstellung eines theoretischen Modells für die Energiegewinnung von PV-Modulen mit 2-poligen III-V/Si-Tandemzellen an verschiedenen europäischen Standorten.

Es sei darauf hingewiesen, dass sich das Projekt auf Schlüsselfaktoren für die Realisierung einer kostengünstigen c-Si-basierten Tandemsolartechnologie mit herausragendem Effizienzpotenzial weit über die Grenzen von Single-Junction-Geräten hinaus konzentriert.

Teilnehmer: AIXTRON SE, Deutschland / AIXTRON Ltd, Großbritannien / AZUR SPACE Solar Power GmbH, Deutschland / Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE, Deutschland / JOHANNEUM RESEARCH Forschungsgesellschaft mbH, Österreich / Leiden University, The Netherlands / Topsil Semiconductor Materials A/S, Denmark

Weitergehende Informationen; (Website SiTaSol hier)

Aristotle University of Thessaloniki, Griechenland / University of Patras, Griechenland / University of Oxford, Großbritannien / University of Surrey, Großbritannien / University of Ioannina, Griechenland / Ecole Polytechnique, Frankreich / Universität Stuttgart, Deutschland / Fraunhofer-Gesellschaft, Deutschland / Helmholtz Zentrum Berlin, Deutschland / Centro Ricerche Fiat, Italien / Centre for Research and Technology – Hellas, Griechenland / Horiba Jobin Yvon, Frankreich / Advent Technologies Griechenland / COATEMA, Deutschland / COMPUCON, Griechenland / AIXTRON, Deutschland / Konarka, Deutschland / Oxford Lasers Ltd., Großbritannien

Das APOLLON-Projekt betrifft die Optimierung und Entwicklung von Punktfokus- und spiegelbasierten spektrenselektiven-Photovoltaik-Konzentrationssystemen (Concentrator Photovoltaik, CPV) (Multiansatz). Die verschiedenen Technologiepfade werden mit besonderem Fokus auf die erkannten kritischen Fragen im Zusammenhang mit jeder Systemkomponente verfolgt, um die CPV-Effizienz zu erhöhen, die Zuverlässigkeit zu gewährleisten, Kosten und Umweltauswirkungen zu reduzieren. (Multi Junction, MJ) MJ-Solarzellen werden unter Verwendung neuer Materialien und Depositionstechnologien hergestellt. Diese sollen es ermöglichen, das in der Europäischen Strategischen Forschungsagenda für Konzentrationsphotovoltaik festgelegte Ziel der MJ-Solarzelleneffizienz zu erreichen und sogar zu übertreffen. Die Optimierung der Fresnel- und Prismenlinse sowie die Entwicklung neuer bildgebender, hochkonzentrierter, zellselbstschützender, stabiler Optiken ermöglichen eine hohe optische Effizienz und weite Akzeptanzwinkel. Neue Konzepte werden für spiegelbasierte Spektrensplitting-Systeme angewendet, die es ermöglichen, den Kühlbedarf zu eliminieren. Sowohl die optimierten als auch die neuen Technologien werden gründlich getestet, um zuverlässige CPV-Systeme mit langer Lebensdauer zu erhalten. Hohe Integration, die mit mikroelektronischen und automobilen Lichttechnologien für Hochdurchsatz-Montagetechniken erreicht wurde, zusammen mit intelligenten Lösungen für genaue, zuverlässige, kostengünstige Verfolgung und reduzierte Fehlanpassungsverluste werden im Projekt bearbeitet. Prototypische Systeme werden für eine vollständige ökologische und ökonomische Bewertung entwickelt, die schließlich zu einer wirtschaftlich attraktiven konzentrierenden Photovoltaik führt. In APOLLON werden alle Beteiligten, von Universitäten, KMU, Großunternehmen bis hin zum Endverbraucher, wissenschaftlich wertvolle, verwertbare und langlebige Produkte präsentieren, deren Ergebnisse in ganz Europa verbreitet und genutzt werden.

Teilnehmer: CESI RICERCA, Italien / AIXTRON SE, Deutschland / Centre National de la Recherche Scientifique - Laboratory of Photonics and Nanostructures, Frankreich / Energies Nouvelles et Environnment, Belgien / CENTRO RICERCHE PLAST-OPTICA, Italy, State Enterprise Scientific Research Technological - Institute of Instrument  Engineering, Ukraine / Joint Research Centre (European Commission), EU / Ente per le Nuove Tecnologie, l’Energia e l’Ambiente, Italien / PV Technology Department of Electrical and Computer Engineering - University of Cyprus, Zypern / CPower, Italien / Solar*Tec AG, Deutschland / Energy research Centre of the Netherlands, Niederlande / ENEL Produzione S.p.A, Italien, FUNDACIÓN ROBOTIKER, Spanien, New and Renewable Energy Centre, Großbritannien / University of Ferrara, Italien

Gefördert von der Europäischen Kommission

Weitere Informationen

CNR, Italien / ST Microelectronics, Italien /  Epichem Limited, Großbritannien / CSIS, Spanien / Vilnius Universität, Litauen

​Unsere moderne Gesellschaft hat enorm von neuartigen miniaturisierten mikroelektronischen Produkten mit verbesserter Funktionalität zu immer geringeren Kosten profitiert. Mit abnehmender Größe werden jedoch Verbindungen unabhängig von der Anwendungsdomäne zu großen Engpässen.

CONNECT schlägt Innovationen in neuartigen Verbindungsarchitekturen vor, um eine zukünftige CMOS-Skalierung durch die Integration von metalldotierten oder metallgefüllten Kohlenstoffnanoröhren (CNT) zu ermöglichen. Um dies zu erreichen, strebt CONNECT die Entwicklung von Fertigungstechniken und -prozessen an, um zuverlässige CNTs für On-Chip-Verbindungen zu erhalten. Auch Herausforderungen der Übertragung des Prozesses in die Halbleiterindustrie und der CMOS-Kompatibilität werden behandelt.

CONNECT wird ultrafeine CNT-Leitungen und Metall-CNT-Verbundmaterial untersuchen, um die unmittelbar bevorstehenden Probleme des hohen Stromverbrauchs und der Elektromigration bei Kupferverbindungen nach dem derzeitigen Stand der Technik zu lösen. Es werden Demonstratoren entwickelt, die im Vergleich zum Stand der Technik mit herkömmlichen Kupferverbindungen einen deutlich verbesserten spezifischen elektrischen Widerstand (bis zu 10µOhmcm für einzelne dotierte CNT-Leitungen), Strombelastbarkeit (bis zu 108A/cm2 für CNT-Bündel), thermische und Elektromigrationseigenschaften aufweisen. Darüber hinaus wird CONNECT neuartige CNT-Verbindungsarchitekturen entwickeln, um die Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz auf Schaltungsebene und auf Architekturebene zu untersuchen.

Die in diesem Projekt entwickelten Technologien sind sowohl für die Leistung als auch für die Herstellbarkeit von Mikroelektronik im Maßstab 1:1 der Schlüssel. Sie werden eine erhöhte Leistungs- und Skalierungsdichte von CMOS oder CMOS-Erweiterungen ermöglichen und auch auf alternative Rechenschemata wie neuromorphes Rechnen anwendbar sein. Das CONNECT-Konsortium verfügt über starke Verbindungen entlang der Wertschöpfungskette von der Grundlagenforschung bis zum Endnutzer und vereint einige der besten Forschungsgruppen auf diesem Gebiet in Europa. Die Realisierung von CONNECT wird die Rückgewinnung von Marktanteilen des europäischen Elektroniksektors fördern und die Industrie auf zukünftige Entwicklungen der elektronischen Landschaft vorbereiten.
 

Mehr Informationen über Connect

Freiberger Compound Materials GmbH (FCM), Deutschland / Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Deutschland / Universität Ulm, Deutschland / Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik (MPI), Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

SOITEC, Frankreich / STMicroelectronics, Frankreich / AMD Saxony, Deutschland / SILTRONIC, Deutschland / DOLPHIN, Frankreich, CEA-LETI, Frankreich / FZ-Jülich, Deutschland / MPI-Halle, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

AIXTRON Taiwan

NCSR-D, Griechenland / IMEC, Belgien / IBM, Schweiz / CEA-LETI, Frankreich / STMicroelectronics, Frankreich / NXP Semiconductors, Belgien / University of Glasgow, Großbritannien / Katholike Universitaet Leuven, Belgien

Adixen: Alcatel VacuumTechnology France SAS, Frankreich / AIS Automation Dresden GmbH, Deutschland / AIXTRON SE,  Deutschland / ASM International NV, Niederlande / ASML Netherlands B.V., Niederlande / Bronkhorst, Niederlande / CEA-LETI, Frankreich / EV Group E. Thallner GmbH, Österreich / Fraunhofer Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik(Fraunhofer IOF), Deutschland / Fraunhofer Institut für integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (Fraunhofer IISB), Deutschland / HAP GmbH, Deutschland / IBS Precision Engineering B.V., Niederlande / IMEC, Belgien / Intel Performance Learning Solutions, Irland / Mattson Thermal Products GmbH, Deutschland / NanoPhotonics GmbH, Deutschland / PTB (Physikalisch Technische Bundesanstalt), Deutschland / Oxford Intruments Plasma Technology Ltd., Großbritannien / PVA TePla AG, Deutschland / SemiQuarz GmbH, Deutschland / Recif Technologies SAS, Frankreich / SEMILAB Semiconductor Laboratory Co Ltd, Ungarn / Siltronic AG, Deutschland / S.O.I.TEC Silicon on Insulator S.A., Frankreich / TNO, Niederlande / Vistec Electron Beam GmbH, Deutschland / Xycarb Ceramics BV, Niederlande

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

AIXTRON SE, Deutschland / Danish Technological Insitute, Dänemark / Eindhoven University of Technology, Niederlande / Forschungszentrum Jülich GmbH & Jülich-Aachen Research Alliance, Deutschland / Ruhr Universität Bochum, Deutschland / Technische Universität Wien, Österreich / University of Helsinki, Finland /   University of Padova, Italien

Das Konsortium im Projekt „HEA2D“ untersucht die Grundlagen für durchgehende Verarbeitungsketten von 2D-Nanomaterialien mit dem Ziel Prozesse für die Serienfertigung zu entwickeln.

Weitere Informationen

HEA2D in den Medien

AIXTRON SE, Deutschland / Freie Universität Berlin, Deutschland / Helmholtz Zentrum Berlin, Deutschland

Gefördert von Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie 

Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Deutschland / Slowakische Akademie der Wissenschaften, Slowakische Republik / Technische Universität Wien, Österreich / Universität Padua, Italien / AIXTRON SE, Deutschland / Artesyn Austria GmbH & Co. KG, Österreich / EpiGaN, Belgien / Infineon Technologies Austria AG, Österreich

Mehr Informationen zum Projekt

FBH, Deutschland / FCM, Deutschland / OSRAM, Deutschland / Fraunhofer IAF, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Uni Montpellier, Frankreich / Epichem, Großbritannien / SAES Getters, Italien

RWTH Aachen, Deutschland / Head Acoustics, Deutschland / Uni Twente, Niederlande / University of Tel Aviv, Israel / EKD, Spanien / NetKnowledge, Israel / Cerobear, Deutschland / Morskate, Niederlande / Optibase, Israel

Philips Technologie GmbH, Deutschland / AIXTRON SE, Deutschland / BASF SE, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

ASM International, Niederlande / Air Liquide, Frankreich / Bronkhorst, Niederlande / Conti Temic Microelctronic, Deutschland / Infineon Technologies, Deutschland / NXP Semiconductors, Belgien und Niederlande / Oxford Instruments, Großbritannien / R3T GmbH, Deutschland / SAFC Hitech, Großbritannien / STMicroelectronics, Frankreich / CEA-LETI, Frankreich / IHP, Deutschland / IMEC, Belgien / Technical University of Eindhoven, Niederlande / Tyndall National Institute, Ireland / University of Helsinki, Finnland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

FZ Jülich, Deutschland / AIR Liquide, Frankreich / LMPG, Frankreich / Epichem, Großbritannien / Jobin Yvon, Frankreich / CEA-LETI, Frankreich / ST Microelectronics, Frankreich

ST Microelectronics, Frankreich / ST Microelectronics, Italien / IMEC, Belgien / LMPG, Frankreich / CEA-LETI, Frankreich / LTM, Frankreich / AIR Liquide, Frankreich / Jordan Valley, Israel / NCSR, Griechenland / MDM, Italien / Sigma Aldrich, Großbritannien

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

INOVA LISEC TECHNOLOGIEZENTRUM GMBH, Austria / PROFACTOR GMBH, Austria / ENERGY GLAS GMBH, Germany / DURST PHOTOTECHNIK SPA, Italy / TIGER Coatings, Italy / CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE, Italy / UNIVERSITÄT LINZ, Austria / UNIVERSITY OF CAMBRIDGE, UK / UNIVERSITÄT KASSEL, Germany / KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION, Republic of Korea

CEA-LETI, Frankreich / IMEC, Belgien / Acreo, Schweden / Schott, Deutschland / Alcatel Thales, Frankreich / ASMI, Niederlande / EPIC, Europäische Organisation / VDI-TZ, Deutschland / CNOP-OV, Frankreich / Yole Development, Frankreich

EPFL, Switzerland / Jacobs University Bremen, Germany / University of Dublin, Ireland / Institute Jozef Stefan, Ljubljana, Slovenia / Weizmann Institute of Science, Israel / SCM, Netherlands / Evonik Industries AG, Germany

Alcatel Thales III-V Lab, Frankreich / Czech Technical University, Tschechische Rebublik / Element Six Ltd., Großbritannien / EPFL, Schweiz / Fcubic AB, Schweden / FORTH, Griechenland / Gwent Electronic Materials Ltd., Großbritannien / University Of Glasgow, Großbritannien / Impact Coatings AB, Schweden / IEE, Slovakei / CNRS, Frankreich / Instytut Technologii Elektronowej, Polen / IVF, Schweden / Université Grenoble, Frankreich / MFA, Ungarn / MicroGaN GmbH, Deutschland / SIFAM Fibre Optics, Großbritannien / STU, Slovakei / Universität Ulm, Deutschland / Universität Wien, Österreich / University Of Bath, Großbritannien / Vivid Components Ltd., Großbritannien

Konarka, Österreich / Photeon Technologies, Großbritannien / Uni Rom, Italien / Universität Linz, Österreich / University of Bath, Großbritannien / ILC, Slovakei / Holotools, Deutschland

Georg-August-Universität Göttingen, Deutschland / Friedrich-Schiller-Universität Jena, Deutschland / Universitat de Valencia, Spanien / Installation Europeenne de Rayonnement Synchrotron, Frankreich / University of Cambridge, UK / University College Cork, Irland / Technische Universiteit Delft, Niederlande / Hochschule RheinMain, Deutschland / Consiglio Nazionale delle Ricerche, Italien / Centro Ricerche FIAT S.c.P.A., Italien / Technische Universiteit Eindhoven, Niederlande

OSRAM, Deutschland / Fraunhofer IAF, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

TU Berlin, Deutschland / LayTec, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Universität Duisburg-Essen, Deutschland / AIXTRON SE, Deutschland

Würth Solar, Deutschland / ZSW, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Azzurro GmbH, Deutschland / MicroGaN GmbH, Deutschland / Infineon AG, Deutschland / SiCrystal AG, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Philips, Deutschland und Niederlande / CNRS, Frankreich / CNR-ISOF, Italien / Merck OLED Materials, Deutschland / Fraunhofer IPM, Deutschland / H.C. Starck, Deutschland / IMEC, Belgien / KU Leuven, Belgien / Universität Lecce, Italien / Novaled, Deutschland / OSRAM-OS, Deutschland / Academy of Sciences, Polen / Schott, Deutschland / Siemens, Deutschland / Syntec, Deutschland / Universität Dresden, Deutschland / Universität Ghent, Belgien / Universität Groningen, Niederlande / Universität Kassel, Deutschland / EPFL, Schweiz / Universität Strasbourg, Frankreich

Mehr Informationen zum Projekt

OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Deutschland / Philips GmbH, Deutschland / BASF Future Business GmbH, Deutschland / Applied Materials, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

TEI of Crete (coordinator), Imperial College London (UK), University of Oxford (UK), Politechnico di Milan (IT), University of St-Andrews (UK), Cyprus University of Technology (CY), Johannes Keppler University of Linz (AT), University of Groningen (HOL), Friedrich-Alexander Universitat Erlangen -Nurnberg (GER), Institute of Electronic Structure and Laser – IESL (GR), Technion Israel Institute of Technology (ISR), NanoForce Ltd (UK), Solvay S.A. (BEL), Ceradrop (FR), Beneq (FIN), AIXTRON (GER)

Ziel des ERASMUS-Projekts "Life Long Learning (LLP)" auf dem Gebiet ‘Organische Elektronik & ihre Anwendungen - OREA´ ist die Förderung eines Masterstudiums (Curriculum MSc) in der Organischen Elektronik. Das Projekt nutzt die Synergien von Universität, Forschung und Industrie. 

Weitergehende Informationen

RWTH Aachen, Deutschland / FCT, Deutschland / Bruker Optik, Deutschland / AIS, Deutschland / Fraunhofer IWS, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Philips, Deutschland / RWTH Aachen, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

HMI, Deutschland / Merck OLED Materials, Deutschland

Im Rahmen des Verbundvorhabens PeroBOOST werden effektive bleifreie Solarzellen auf PerOwSkiT-Basis für die Energiewende erforscht entlang der Wertschöpfungskette, bestehend aus Ausgangsmaterialien, Abscheideverfahren, Solarzellenherstellung, Verkapselung und Skalierungsprozessen.

Der Fokus von AIXTRON's Teilprojekt besteht in der Erforschung von Verdampfungsprozessen und Anlagentechnik zur Abscheidung von PerOwSkiT Materialien. Wesentlicher Bestandteil der Arbeiten in PeroBOOST ist die Erforschung von innovativen Testständen und deren Skalierung.

Weitergehende Informationen

European Netzwerk

Philips Technologie GmbH, Deutschland / AIXTRON SE, Deutschland / Fraunhofer Institut für Lasertechnik ILT, Deutschland / RWTH, Deutschland / ESI GmbH, Deutschland / LIMO Lissotschenko Mikrooptik GmbH, Deutschland

Gefördert vom NRW Ministerium für Innovation, Wissenschaft, Forschung und Technologie 

Philips Technologie GmbH, Deutschland / AIXTRON SE, Deutschland / Fraunhofer Institut für Lasertechnik ILT, Deutschland / Universität Köln, Deutschland

Gefördert vom NRW Ministerium für Innovation, Wissenschaft, Forschung und Technologie 

Universität Würzburg, Deutschland / Becker & Hickl GmbH, Deutschland / Ludwig-Maximilians-Universität München, Deutschland / Universität Bremen, Deutschland / Forschungszentrum Jülich GmbH, Deutschland / qutools GmbH, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

CNRS, Frankreich / TU Berlin, Deutschland / University of Madrid, Spanien / University of Bologna, Italien / Alcatel Thales III-V Lab, Frankreich / University Of Glasgow, Großbritannien / Universität Jena, Deutschland / EPFL, Schweiz / University Of Warwick, Großbritannien / Universität Ilmenau, Deutschland / IFPAN, Polen / TKK, Finnland

IPHT, Deutschland / MPI, Deutschland / EMPA, Schweiz / MFA, Ungarn / Austrian Research Center GmbH, Österreich / VTT, Finnland / PICOSUN, Finnland / BiSOL, Slowenien / WTC, Deutschland / iSuppli, Deutschland / CalTech, USA

European Netzwerk

Infineon Technologies, Deutschland / Fraunhofer Institut für Integrierte Schaltungen und Bauelementtechnologie, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Novaled AG, Dresden / Sensient Imaging Technologies GmbH, Westfälische Wilhelms Universität Münster / Fraunhofer IPMS, Dresden / Symboled GmbH / Fresnel Optics GmbH / Hella KGaA Hueck & Co / Siteco Beleuchtungstechnik GmbH / AEG-MIS mbH / Universität Paderborn

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

Mehr Informationen zum Projekt

Universität Würzburg, Deutschland / Universität Marburg, Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

University of Cambridge, Großbritannien / AIXTRON SE, Deutschland / Philips GmbH, Deutschland / IMEC, Belgien / Thales Research and Technology, Frankreich / Thales Electron Devices, Frankreich / Cambridge CMOS sensors, Großbritannien / Fritz Haber Institute, Deutschland / TU Berlin, Deutschland / Technical University of Denmark, Dänemark / Swiss Federal Institute of Technology, ETHZ

Freiberger Compound Materials GmbH (FCM), Deutschland / Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), Deutschland / University of Ulm, Deutschland / Nanoelectronic materials laboratory GmbH (NaMLab), Deutschland / Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (IAF), Deutschland

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

AMD, Deutschland / Infineon, Deutschland / Wacker Siltronic, Deutschland / FZ Jülich, Deutschland / MPI, Deutschland / IMEC, Belgien

Gefördert vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF)

OSRAM Optosemiconductors, Deutschland / Royal Philips Electronics, Niederlande / BASF Future Business GmbH, Deutschland / BASF, Deutschland

Der Begriff AVD^® ist ein eingetragenes Warenzeichen.

Thales-TRT, Frankreich / CNRS, Frankreich / TU Wien, Österreich / Academy of Science, Slovakei / EPFL, Schweiz / FORTH, Griechenland / Universität Ulm, Deutschland

RWTH Aachen, Deutschland / mecca neue medien, Deutschland / JET Lasersysteme, Deutschland

Universität Hong Kong, China / Universität Tsinghua, China / RWTH Aachen, Deutschland