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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

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Zeitraum
27. März 2012 | Pressemeldungen

NTT Photonics: Laserforschung mit AIXTRON MOCVD-Technologie

Der japanische Hersteller und AIXTRON Kunde NTT Photonics hat im zweiten Quartal 2011 eine AIXTRON CCS-Anlage zur Erforschung quaternärer InGaAsP-Diodenlaser bestellt.

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19. März 2012 | Pressemeldungen

University of Texas at Austin entwickelt hochwertiges Graphen im Wafer-Maßstab mit AIXTRON Anlage

Forschern der University of Texas at Austin (USA) ist es erstmals gelungen, Graphen auf aufgedampften Kupferschichten im Wafer-Maßstab abzuscheiden. Die Resultate wurden mit einer kürzlich erworbenen vertikalen Kaltwand BM Pro-Anlage von AIXTRON erzielt und werden derzeit auf der American Chemical Society´s Nano Website publiziert*.

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16. März 2012 | Pressemeldungen

Aucksun Opto bestellt fünf AIXTRON Anlagen für die LED-Produktion

Der chinesische Hersteller Aucksun Optoelectronics Technology Ltd. aus Huaian hat im ersten Quartal 2012 erstmals fünf neue Multiwafer-Anlagen von AIXTRON bestellt. Mit zwei 49x2 AIX 2600G3 IC- sowie drei 60x2 AIX 2800G4-Anlagen will das Unternehmen Materialien für die LED-Herstellung abscheiden.

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08. März 2012 | Pressemeldungen

Quantum Wafer steigert Kapazitäten mit AIXTRON Technologie

Der chinesische Hersteller Quantum Wafer Inc. hat drei weitere MOCVD-Anlagen von AIXTRON bestellt. Alle Anlagen sind für die Herstellung von LED-Wafern auf Basis von Galliumnitrid vorgesehen.

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Veranstaltungskalender

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Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2025 Datum 31.07.2025 Erinnerung Erinnerung
Veröffentlichung Konzern-Quartalsbericht Q3/2025 Datum 30.10.2025 Erinnerung Erinnerung

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