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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

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Zeitraum
03. November 2011 | Pressemeldungen

NTU Singapur: Forschung in der Festkörperbeleuchtung mit AIXTRON Anlage

Die Nanyang Technological University (NTU) in Singapur hat eine neue Close Coupled Showerhead (CCS)-Anlage zur Herstellung sehr heller LEDs und entsprechender Materialsysteme erhalten. Die 3x2-Zoll-Anlage wurde von dem lokalen AIXTRON Service Team erfolgreich in Betrieb genommen.

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25. Oktober 2011 | Pressemeldungen

Infineon Technologies entwickelt hocheffiziente GaN-auf-Si-HEMT-Transistoren mit AIXTRON G5-Anlage

Mit der erfolgreichen Abnahme einer 8x6-Zoll AIX G5 HT MOCVD1-Anlage im September 2011 hat AIXTRON Kunde Infineon Technologies das erste Planungsziel bei der Entwicklung seiner GaN-auf-Si2 HEMTs3 erreicht. Die neue Anlage ist zusätzlich für die Herstellung von 5x8-Zoll-Wafern optimiert.

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11. Oktober 2011 | Pressemeldungen

NEDI erforscht Hochleistungsbauteile und LEDs mit AIXTRON Anlagen

Das Nanjing Electronic Devices Institute (NEDI), ein führender chinesischer Hersteller elektronischer Komponenten, hat eine 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC- sowie eine VP2400HW-Anlage mit einer Waferkapazität von 6x4-Zoll bestellt.

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26. September 2011 | Pressemeldungen

Koreanische LG Electronics bestellt AIXTRON G5-Anlage für GaN/Si-Anwendungen

AIXTRON Kunde LG Electronics Woomyeon R&D Campus (LG Electronics Advanced Research Institute) aus Südkorea hat im ersten Quartal 2011 eine AIX G5 HT MOCVD*-Anlage in einer 8x6-Zoll-Konfiguration bestellt. LGE will damit in Zusammenarbeit mit AIXTRON GaN-on-Si-basierte** Bauteile für die Leistungselektronik entwickeln.

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Veranstaltungskalender

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Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2025 Datum 31.07.2025 Erinnerung Erinnerung
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