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Pressemeldungen

Hier finden Sie aktuelle Meldungen. Sie benötigen Informationen, um einen Beitrag über AIXTRON zusammenzustellen? Gerne stellen wir Ihnen Material zur Verfügung.

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Zeitraum
21. April 2011 | Pressemeldungen

AIXTRON CRIUS II in Taiwan qualifiziert

Die Chi Mei Group mit Sitz in Südtaiwan hat AIXTRONs aktuelle Close Coupled Showerhead MOCVD*-Plattformanlage CRIUS II erfolgreich für die Massenproduktion qualifiziert. Die Anlage übertraf die Erwartungen im Hinblick auf Prozessstabilität, Homogenität und Durchsatz.

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19. April 2011 | Pressemeldungen

AIXTRON liefert weitere G5-Anlagen an Epistar

AIXTRON Kunde Epistar erhält weitere MOCVD*-Anlagen. Der taiwanesische Hersteller hat eine Folgebestellung über zusätzliche 14x4-Zoll AIX G5 HT-Anlagen für die Herstellung von HB** LEDs erteilt.

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11. April 2011 | Pressemeldungen

AIXTRON verkauft erste 300 mm Graphen-Anlage an AIST

Das japanische National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) hat die erste 300 mm Black Magic-Anlage für die Abscheidung von Graphen bestellt. Graphen ist aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften ein vielversprechendes Kanalmaterial für die Herstellung von Mikroelektronik und Hochfrequenzanwendungen der nächsten Generation.

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05. April 2011 | Pressemeldungen

TU Eindhoven produziert modernste Nanodrähte mit AIXTRON CCS-Anlage

Die Technische Universität (TU) Eindhoven in den Niederlanden hat im vierten Quartal 2010 eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead MOCVD*-Anlage bestellt. Die Anlage soll für die Herstellung von Galliumarsenid- und Indiumphosphid-basierten Nanodrähten, Nitriden sowie Silizium-Halbleitern eingesetzt werden.

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31. März 2011 | Pressemeldungen

PARC produziert InGaAlN-Laser und LEDs mit AIXTRON CCS

PARC – ein Xerox-Unternehmen mit Sitz in Palo Alto, Kalifornien, USA – hat eine Close Coupled Showerhead MOCVD*-Anlage von AIXTRON bestellt. Die Anlage umfasst das vollständige Leistungsspektrum, wie das In-Situ Multi-Channel-Pyrometer ARGUS, hohe Wachstumtemperaturen sowie einstellbare Reaktorhöhe, die optimale Bedingungen für die Herstellung von (Al)GaN** in einem weiten Druckbereich ermöglicht.

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