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19. April 2012 | Pressemeldungen

MicroLink bestellt weitere AIX 2800G4-Anlage von AIXTRON

Im Zuge einer erneuten Kapazitätssteigerung für HBT*-Transistoren und Solarzellen hat der US-amerikanische Hersteller MicroLink Devices mit Sitz in Niles, IL, im dritten Quartal 2011 eine weitere AIX 2800G4-Anlage mit vollautomatischer Waferbeladung bestellt. Die Auslieferung der neuen Anlage ist für das zweite Quartal 2012 geplant.

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11. April 2012 | Pressemeldungen

AIST entwickelt Graphen auf 300 mm Wafern mit AIXTRON Anlage

Das National Institute Advanced Industrial Science and Technology (AIST) in Japan hat eine AIXTRON BM 300-Anlage erfolgreich in Betrieb genommen. Die Anlage wurde 2011 von AIXTRONs Serviceteam im Reinstraum des japanischen Instituts in Tsukuba installiert. Im Rahmen der MRS Spring Konferenz 2012 präsentierte AIST-Gruppenleiter Dr. Shintaro Sato am 10. April die Resultate.

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05. April 2012 | Pressemeldungen

Fujian Institute of Research in China erforscht Laser für die Telekommunikation mit AIXTRON CCS-Anlage

Das Fujian Institute of Research on the Structure of Matter (FJIRSM) in China – ein Institut der Chinese Academy of Sciences – wird künftig Laserdioden für die Telekommunikation mit einem 6x2-Zoll CCS-Reaktor von AIXTRON erforschen.

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03. April 2012 | Pressemeldungen

TU Ilmenau entwickelt III-V-Solarzellen mit AIXTRON F&E-Anlage

Die Technische Universität Ilmenau, eines der führenden Forschungsinstitute Deutschlands, hat eine AIXTRON MOCVD-Anlage in einer doppelten 1x2-Zoll Waferkonfiguration bestellt. Damit will der AIXTRON Kunde neue Materialien und Strukturen für die III-V-basierte Optoelektronik, die hocheffiziente Konzentrator-Photovoltaik sowie für die Integration von III-V-Halbleitern auf Silizium und Germanium entwickeln.

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27. März 2012 | Pressemeldungen

NTT Photonics: Laserforschung mit AIXTRON MOCVD-Technologie

Der japanische Hersteller und AIXTRON Kunde NTT Photonics hat im zweiten Quartal 2011 eine AIXTRON CCS-Anlage zur Erforschung quaternärer InGaAsP-Diodenlaser bestellt.

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19. März 2012 | Pressemeldungen

University of Texas at Austin entwickelt hochwertiges Graphen im Wafer-Maßstab mit AIXTRON Anlage

Forschern der University of Texas at Austin (USA) ist es erstmals gelungen, Graphen auf aufgedampften Kupferschichten im Wafer-Maßstab abzuscheiden. Die Resultate wurden mit einer kürzlich erworbenen vertikalen Kaltwand BM Pro-Anlage von AIXTRON erzielt und werden derzeit auf der American Chemical Society´s Nano Website publiziert*.

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