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26. Juni 2012 | Pressemeldungen

NCHU in Taiwan: GaN-auf-Siliziumforschung mit AIXTRON CCS-Anlage

Die National Chung Hsing University (NCHU), eine der führenden technischen Universitäten Taiwans, wird künftig eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead (CCS) MOCVD-Anlage für ihre Forschungsarbeit einsetzen. Es ist die erste AIXTRON Anlage für die Universität.

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20. Juni 2012 | Pressemeldungen

Tim Wang zum Geschäftsführer von AIXTRON China Ltd. bestellt

AIXTRON SE hat Tim Wang zum neuen Geschäftsführer der chinesischen Niederlassung AIXTRON China Ltd. ernannt.

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14. Juni 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON erhält LEDinside Aurora Award 2012

Auszeichnung für beste MOCVD-Technologie CRIUS II-XL Im Rahmen des LEDforums 2012 im chinesischen Guangzhou ist AIXTRON mit dem LEDinside Aurora Award in der Kategorie „Beste MOCVD-Technologie" ausgezeichnet worden. Der Preis wird für herausragende Produkte und Leistungen in der LED-Industrie vergeben. Der deutsche Hersteller erhielt die Auszeichnung für seine moderne CRIUS II-XL- Technologie.

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12. Juni 2012 | Pressemeldungen

Plessey bestellt AIXTRON CRIUS II-XL-Anlage für die GaN-auf-Si LED-Produktion

Die englische Plessey Semiconductors Ltd. hat eine produktionsfähige CRIUS II-XL MOCVD-Anlage in einer 7x6-Zoll-Konfiguration bestellt und weitere Anlagenkäufe des gleichen Typs angekündigt. Damit will Plessey GaN-LEDs auf Siliziumwafern entwickeln.

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05. Juni 2012 | Pressemeldungen

Sinoepi in China fertigt GaN-LED-Wafer mit AIXTRON CRIUS II-L-Anlage

AIXTRON Neukunde Sinoepi Co., Ltd., einer der führenden Hersteller von Wafermaterialien in China, hat im vierten Quartal 2011 eine für 69x2-Zoll konfigurierte CRIUS II-L MOCVD-Anlage bestellt. Mit der neuen Anlage sollen Wafer für galliumnitridbasierte Leuchtdioden (LEDs) hergestellt werden.

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31. Mai 2012 | Pressemeldungen

JENOPTIK steigert Produktion von Hochleistungsdiodenlasern mit neuer AIXTRON Anlage

Die JENOPTIK Diode Lab GmbH aus Deutschland hat erneut eine MOCVD-Anlage von AIXTRON bestellt. Mit einer 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC-Anlage will das Unternehmen seine Fertigungskapazitäten im Bereich der Materialien zur Herstellung von Hochleistungsdiodenlasern in der Sparte Laser & Materialbearbeitung steigern.

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