AIXTRON Auftragseingang und Umsatzerlöse stabilisieren sich / Steigende Auftragseingänge und operative Profitabilität innerhalb des 2. Halbjahres erwartet / 2013 soll Wachstumsjahr werden /

AIXTRON führt AIX G5+ in den Markt ein

GaN-auf-Si-Technologie auf 5x200 mm AIX G5-Plattform

EpiGaN: 8-Zoll GaN-auf-Si-Entwicklung auf AIXTRON Anlagen erfolgreich gestartet

Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zwei MOCVD-Anlagen von AIXTRON erfolgreich in Betrieb genommen.

TRUMPF Photonics bestellt AIX 2800G4-TM-Anlage von AIXTRON

Die amerikanische TRUMPF Photonics mit Sitz in Princeton, NJ, USA, hat eine AIX 2800G4-TM MOCVD-Anlage für Anwendungen im Bereich der Hochleistungslaser erhalten.

Projekt TECHNOTUBES: AIXTRON demonstriert neue BM 300T-Anlage für Kohlenstoff-Nanoröhren

AIXTRON SE stellt zum Abschluss des Projekts TECHNOTUBES (Technology for Wafer-Scale Carbon Nanotubes) die automatisierte BM 300T-Anlage vor. Der Schwerpunkt des von der Europäischen Kommission geförderten Projekts lag auf der Entwicklung von Wachstumsprozessen, Qualitätskontrollen, Automatisierung und einer Reihe möglicher Endanwendungen auf Basis von Kohlenstoff-Nanoröhren. Drei Jahre lang arbeiteten die Universität Cambridge (als Koordinator), die ETH Zürich, TU Dänemark, TU Berlin, das Fritz Haber Institut, CNR-Triest, Philips, THALES, die Cambridge CMOS Sensors, IMEC sowie AIXTRON als Projektpartner zusammen.

AIXTRON liefert neue ALD-Anlagengeneration QXP-8300 an namhaften Kunden aus Korea

AIXTRON SE, führender Anbieter von Beschichtungsanlagen und -lösungen für die Halbleiterindustrie, hat von einem namhaften koreanischen DRAM-Hersteller einen Auftrag über mehrere QXP-8300 ALD*-Anlagen erhalten. Die QXP-8300 für DRAM-Speicherchips mit Strukturgrößen unter 30 nm wird wertvolle Unterstützung bei der Massenproduktion fortschrittlichster DRAM-Technologie leisten.