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AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

EQS-Media / 07.10.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei   Herzogenrath, 7. Oktober 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem 300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik.

Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert

EQS-Media / 30.09.2025 / 07:30 CET/CEST Erste AIXTRON MOCVD-Anlage für Scandium- und Yttrium-haltige Verbindungshalbleiter an der Cornell Universität installiert   Herzogenrath, 30. September 2025 – Die Cornell University in Ithaca, New York, hat ein hochmodernes Close Coupled Showerhead® (CCS) Metal-Organic

AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert

EQS-Media / 22.09.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON erreicht Meilenstein: 100. G10-SiC-Anlage ausgeliefert   Herzogenrath, 22. September 2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA) liefert sein 100. G10-SiC-System aus. Dieser Meilenstein unterstreicht die starke Marktnachfrage nach der G10-SiC-Epitaxie-Batch-Technologie

Anhaltende Auftragsdynamik in der Optoelektronik im Q2

Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation

EQS-Media / 15.07.2025 / 07:30 CET/CEST Universität Cambridge setzt auf AIXTRON für 2D-Photonik-Bauelemente der nächsten Generation Herzogenrath, 15. Juli 2025 – Die Universität Cambridge in Großbritannien hat von AIXTRON SE (FSE: AIXA) eine Close Coupled Showerhead®-Anlage für die Forschung und

AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten

EQS-Media / 03.07.2025 / 07:30 CET/CEST AIXTRON beteiligt sich an Forschungsprojekt für mehr Energieeffizienz bei der Produktion von SiC-Schichten Herzogenrath, 03.07.2025 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), das Fraunhofer IISB in Erlangen sowie die bimanu Cloud Solutions GmbH in Neuss werden gemeinsam die