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18. Oktober 2022 | Pressemeldungen

Furukawa in Japan setzt auf AIXTRONs MOCVD-Technologie zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente / AIXTRON unterstützt Entwicklung von GaAs- und InP-basierter Optoelektronik in Japan

EQS-Media / 18.10.2022 / 07:30 CET/CEST Furukawa in Japan setzt auf AIXTRONs MOCVD-Technologie zur Herstellung optoelektronischer BauelementeAIXTRON unterstützt Entwicklung von GaAs- und InP-basierter Optoelektronik in JapanHerzogenrath, 18. Oktober 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender

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13. September 2022 | Pressemeldungen

AIXTRON bringt die G10-SiC 200 mm Produktlösung der nächsten Generation für Siliziumkarbid-Epitaxie auf den Markt

DGAP-Media / 13.09.2022 / 07:30 CET/CEST AIXTRON bringt die G10‑SiC 200 mm Produktlösung der nächsten Generation für Siliziumkarbid-Epitaxie auf den MarktHerzogenrath, 13. September 2022 - AIXTRON SE hat seine neue G10-SiC 200 mm-Anlage für die Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen („SiC“) der

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21. Juli 2022 | Pressemeldungen

AIXTRON CCS MOCVD-Anlage für die University of Texas in Austin zur Herstellung von Galliumoxid-Leistungselektronik / AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität mit moderner MOCVD-Anlage für

DGAP-Media / 21.07.2022 / 07:32 AIXTRON CCS MOCVD-Anlage für die University of Texas in Austin zur Herstellung von Galliumoxid-Leistungselektronik AIXTRON unterstützt US-Spitzenuniversität mit moderner MOCVD-Anlage für Forschung und EntwicklungHerzogenrath, 21. Juli 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN

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25. Mai 2022 | Pressemeldungen

AIXTRON baut Marktführerschaft bei MOCVD-Anlagen aus / Marktanteil im Jahr 2021 laut Gartner bei 75% / MOCVD-Markt 2021 um 28% auf USD 561 Mio. gewachsen

DGAP-Media / 25.05.2022 / 08:15 AIXTRON baut Marktführerschaft bei MOCVD-Anlagen ausMarktanteil im Jahr 2021 laut Gartner[1] bei 75% / MOCVD-Markt 2021 um 28% auf USD 561 Mio. gewachsenHerzogenrath, 25. Mai 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen

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