AIXTRON startet Bau des neuen Innovationszentrums

AIXTRON startet Bau des neuen Innovationszentrums

Der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie investiert am Standort Herzogenrath rund 100 Millionen Euro. Damit schafft AIXTRON eine wichtige Grundlage für das weitere erfolgreiche Wachstum.

Herzogenrath, 23. November 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) hat offiziell mit dem Bau des neuen Innovationszentrums am Standort Herzogenrath begonnen. Der Spezialanlagenbauer investiert dafür rund 100 Millionen Euro – und zwar in 1000m² Reinraumfläche mit zusätzlichen Flächen für die dazugehörige Messtechnik. Entstehen wird dabei eine Forschungseinrichtung mit den neuesten verfügbaren Technologien der Branche. Erste Anlagen sollen bereits in der zweiten Jahreshälfte 2024 in das neue Gebäude einziehen. Die offizielle Übergabe ist für Anfang 2025 geplant.

Feierlich begangen wurde dieser Meilenstein in der erfolgreichen Geschichte des Unternehmens beim symbolischen Spatenstich, dem Vertreter aus Politiker, Wissenschaft und Forschung sowie wichtige Lieferanten des Unternehmens beiwohnten. Den Rahmen für diese entscheidende Zäsur markierte ein Festakt anlässlich des 40-jährigen Bestehens der Firma AIXTRON. Erstmals gegründet im Dezember 1983 als Spin-off aus der RWTH Aachen steht AIXTRON von jeher an vorderster Front, wenn es um Pioniergeist und die Entwicklung neuer, wegweisender Halbleiter-Technologien geht. Das neue Innovationszentrum setzt diesen Weg fort und bildet eine wichtige Grundlage für das weitere erfolgreiche Wachstum der Firma.

„Gerade haben wir unser Portfolio mit der G10-Produktfamilie vollständig erneuert. Die Nachfrage unserer Kunden danach ist sehr groß, und wir sind mitten im Volumensramp: Jetzt beginnt die Arbeit an der nächsten Generation innovativer technischer Lösungen, um die Elektrifizierung der Welt mit den Megatrends Digitalisierung, Elektromobilität und Energieeffizienz weiter erfolgreich voranzutreiben. Das neue Innovationszentrum liefert uns dafür entscheidende Kapazitäten“, sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Die Reinraumfläche des Innovationszentrum wird der Klasse ISO 6 entsprechen, erweiterbar auf bis zu ISO 4. Der neue Komplex, in der Branche als „Fab“ bezeichnet, ist eine der dichtesten und komplexesten Halbleiter-Fabs der Welt: Die Fläche besitzt zwei Unterebenen – eine sogenannte Sub-Ebene, in der u.a. die Pumpenfilterkabinette der Anlagen untergebracht werden, und die Facility Ebene für die unterstützenden Prozesse und Systeme der gesamten Infrastruktur.

Durch diese Art der Raumnutzung steigt die Reinraumeffizienz um einen Faktor von bis zu drei verglichen mit den bisher genutzten Reinraumflächen.

Hinweis an die Redaktion: Der Spatenstich ist für 15.00/15.30 Uhr vorgesehen. Hochauflösende Pressefotos werden im Anschluss unter folgendem Link verfügbar sein: https://www.aixtron.com/de/presse/forty-years-of-innovation

Ansprechpartner

Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
mobil +49 (151) 74607360
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.