Plessey bestellt AIXTRON CRIUS II-XL-Anlage für die GaN-auf-Si LED-Produktion

Die englische Plessey Semiconductors Ltd. hat eine produktionsfähige CRIUS II-XL MOCVD-Anlage in einer 7x6-Zoll-Konfiguration bestellt und weitere Anlagenkäufe des gleichen Typs angekündigt. Damit will Plessey GaN-LEDs auf Siliziumwafern entwickeln.

Sinoepi in China fertigt GaN-LED-Wafer mit AIXTRON CRIUS II-L-Anlage

AIXTRON Neukunde Sinoepi Co., Ltd., einer der führenden Hersteller von Wafermaterialien in China, hat im vierten Quartal 2011 eine für 69x2-Zoll konfigurierte CRIUS II-L MOCVD-Anlage bestellt. Mit der neuen Anlage sollen Wafer für galliumnitridbasierte Leuchtdioden (LEDs) hergestellt werden.

JENOPTIK steigert Produktion von Hochleistungsdiodenlasern mit neuer AIXTRON Anlage

Die JENOPTIK Diode Lab GmbH aus Deutschland hat erneut eine MOCVD-Anlage von AIXTRON bestellt. Mit einer 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC-Anlage will das Unternehmen seine Fertigungskapazitäten im Bereich der Materialien zur Herstellung von Hochleistungsdiodenlasern in der Sparte Laser & Materialbearbeitung steigern.

AIXTRON SE Hauptversammlung 2012 - Große Mehrheit für alle Beschlussvorlagen

Dow Corning bestellt zusätzliche SiC-Planetenreaktoren von AIXTRON

Steigende Nachfrage nach Siliziumkarbid fördert weitere Expansion

Universität Warschau erforscht Galliumnitrid mit AIXTRON CCS-Anlage

Die Universität Warschau in Polen hat im vierten Quartal 2011 eine 3x2-Zoll Close Coupled Showerhead- (CCS) Anlage von AIXTRON erworben. Die MOCVD-Anlage ist für die Abscheidung von Galliumnitrid (GaN) vorgesehen und wird im zweiten Halbjahr 2012 ausgeliefert.