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25. Oktober 2011 | Pressemeldungen

Infineon Technologies entwickelt hocheffiziente GaN-auf-Si-HEMT-Transistoren mit AIXTRON G5-Anlage

Mit der erfolgreichen Abnahme einer 8x6-Zoll AIX G5 HT MOCVD1-Anlage im September 2011 hat AIXTRON Kunde Infineon Technologies das erste Planungsziel bei der Entwicklung seiner GaN-auf-Si2 HEMTs3 erreicht. Die neue Anlage ist zusätzlich für die Herstellung von 5x8-Zoll-Wafern optimiert.

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11. Oktober 2011 | Pressemeldungen

NEDI erforscht Hochleistungsbauteile und LEDs mit AIXTRON Anlagen

Das Nanjing Electronic Devices Institute (NEDI), ein führender chinesischer Hersteller elektronischer Komponenten, hat eine 12x4-Zoll AIX 2600G3 IC- sowie eine VP2400HW-Anlage mit einer Waferkapazität von 6x4-Zoll bestellt.

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26. September 2011 | Pressemeldungen

Koreanische LG Electronics bestellt AIXTRON G5-Anlage für GaN/Si-Anwendungen

AIXTRON Kunde LG Electronics Woomyeon R&D Campus (LG Electronics Advanced Research Institute) aus Südkorea hat im ersten Quartal 2011 eine AIX G5 HT MOCVD*-Anlage in einer 8x6-Zoll-Konfiguration bestellt. LGE will damit in Zusammenarbeit mit AIXTRON GaN-on-Si-basierte** Bauteile für die Leistungselektronik entwickeln.

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22. September 2011 | Pressemeldungen

AZUR SPACE erweitert Produktion terrestrischer Solarzellen mit AIXTRON MOCVD-Technologie

Die AZUR SPACE Solar Power GmbH hat eine neue AIXTRON MOCVD*-Anlage erfolgreich in Betrieb genommen. Das Heilbronner Unternehmen zeigt sich mit dem Potenzial der Anlage sowie dem geleisteten Service voll und ganz zufrieden.

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20. September 2011 | Pressemeldungen

Infinera entwickelt Photonikschaltkreise nächster Generation mit AIXTRON Anlage

Das kalifornische Unternehmen Infinera, ein Neu-Kunde der AIXTRON SE, hat im ersten Quartal 2011 eine AIX 2600G3 IC MOCVD1-Anlage bestellt. Nach der Auslieferung im laufenden Quartal will das Unternehmen Indiumphosphid (InP)- Photonikschaltkreise (PICs2) der nächsten Generation herstellen. Die Anlage ist für Waferkonfigurationen von 49x2-, 12x4- oder 7x6-Zoll ausgelegt.

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