Plessey weitet Produktionskapazitäten mit AIX G5+ C-Cluster von AIXTRON aus

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass Plessey Semiconductors Ltd. ein AIX G5+ C-Cluster für die Ausweitung seiner Produktionskapazitäten für LED auf Basis von Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-auf-Si) in Auftrag gegeben hat.

Das Produktions-Cluster für Plessey besteht aus zwei Multiwafer-Reaktoren vom Typ AIX G5+ für die vollautomatische Fertigung hoher Stückzahlen von Epitaxie-Wafern, die um AIXTRON’s neuen Cassette-to-Cassette-Handler ergänzt werden. Plessey hat die Planetenanlage von AIXTRON vor allem für die Erweiterung ihrer Produktionslinie für 150 mm GaN-auf-Si-Wafern erworben. Zusätzlich soll auch die Produktion auf 200 mm-Wafern qualifiziert werden. Die AIX G5+ von AIXTRON kann sowohl für die Verarbeitung von 8x150 mm-Wafern als auch für 5x200 mm-Wafern eingesetzt werden.

Mike Snaith, Produktionsleiter bei Plessey, sagt: „Wir bewegen uns derzeit in einer Übergangsphase: Dies betrifft sowohl den Nachweis der Leistungsfähigkeit unserer GaN-auf-Si-basierten LED-Produkte als auch den Ausbau der Produktionskapazitäten. Inzwischen ist die Nachfrage für eine ganze Reihe unserer LED-Produkte deutlich angestiegen. Für den Erwerb von AIXTRON’s neuester Planetentechnologie spricht außerdem, dass die AIX G5+ C hervorragende Homogenität der Wafer mit stetig hoher Leistungsfähigkeit in aufeinanderfolgenden Produktionsdurchläufen („run-to-run performance“) zu äußerst niedrigen Betriebskosten verbindet - Aspekte, die für die effiziente Serienproduktion von GaN-auf-Si-Wafern entscheidend sind.“

Dr. Frank Schulte, Vice President Europa von AIXTRON, erklärt: „Mit Plessey verbindet uns eine langjährige, vertrauensvolle Partnerschaft. Wir freuen uns daher sehr über den erneuten Auftrag. Unsere Planetenanlage AIX G5+ C ist die ideale Lösung für die Produktionsanforderungen wie hohe Ausbeute, hohe Qualität und hoher Durchsatz von GaN-basierten Materialien auf großen Siliziumwafern. Dies gelingt insbesondere durch die vollautomatische Cassette-to-Cassette-Beladung und die thermisch aktivierte Gasätzung der MOCVD-Reaktorkammer.“

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