Exagan bestellt AIX G5+ C für den Produktionsanlauf von GaN-auf-Si-Leistungsschaltern

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat eine 
AIX G5+ C-Anlage an das französische Start-Up Exagan geliefert. Das Unternehmen ist eine Ausgründung von Soitec, einem weltweit führenden Hersteller von innovativen Halbleitermaterialien, sowie von CEA-Leti, einem führenden europäischen Forschungszentrums mit Schwerpunkten in der Mikro- und Nanotechnologie. Exagan stellt Hochleistungswerkstoffe und hocheffiziente Leistungsschalter auf Basis von Galliumnitrid (GaN) her, die die Leistungsfähigkeit und Effizienz von elektronischen Umrichtern deutlich erhöhen. Die Depositionsanlage von AIXTRON wird das Unternehmen für die Serienfertigung von GaN-auf-Silizium-Materialien für Leistungsschalter einsetzen.

Bei der AIX G5+ C-Planetenanlage handelt es sich um eine fortschrittliche Produktionsplattform in einer 5x200mm-Konfiguration mit Einzelwafer-Rotation, die eine Beladung im Cassette-to-Cassette-Verfahren erlaubt und mit dem In-situ-Reinigungssystem von AIXTRON ausgerüstet ist.

Exagan hat die AIX G5+ C gemeinsam mit seinem F&E-Partner CEA-Leti ausgewählt, nachdem die Anlage größtmögliche Homogenitätskontrolle und hohen Durchsatz unter Nutzung der eigenen G-Stack™ Prozesstechnologie unter Beweis gestellt hatte. Diese Stack-Technologie wird genutzt, um einzigartige GaN-basierte Materialien für die Produktion von Exagans effizienten G-FET™ Hochleistungstransistoren bereitzustellen. Zusammen mit den Fertigungsmöglichkeiten und der Expertise von Soitec sowie den branchenführenden 200 mm Produktions- und Charakterisierungsanlagen von CEA-Leti, ergänzt die AIX G5+ C Exagans Lieferkette während das Unternehmen seine Produktionskapazitäten in Grenoble aufstockt.

Die Installation der Anlage ist in der strategischen Partnerschaft von Exagan und CEA-Leti ein großer Schritt zur Beschleunigung der GaN-auf-Silizium-Pläne von Exagan. Unterstützt wird die Partnerschaft durch das F&E-Projekt „G-drive+“, das von Bpifrance durch Investissements d’Avenir finanziert wird.

Fabrice Letertre, COO und Mitbegründer von Exagan, stellt fest: „AIXTRON und CEA-Leti verfügen über eine lange und erfolgreiche F&E-Partnerschaft in der Weiterentwicklung der GaN-auf-Silizium-Technologie. Die Kooperation zwischen Exagan und AIXTRON wird dafür sorgen, dass wir durch den Einsatz des Epitaxie-Verfahrens sowohl unsere Zeitpläne einhalten als auch alle unsere Meilensteine bezüglich der Kosten erreichen. Mittels des effizienten Herstellungsprozesses für GaN-auf-Silizium auf 200 mm-Siliziumsubstraten verbinden wir die GaN-Technologie mit den Produktionsstandards der Siliziumindustrie. Dies macht unsere G-FET-Produkte zu den kosteneffizientesten Wide-Bandgap-Lösungen für die Märkte Solar-, IT-Elektronik-, Verbindungs - und Automotivetechnologie.“

„Unsere AIX G5+ C ist bislang die einzige Anlage, die vollautomatische GaN-auf-Silizium MOCVD-Prozesse wie in der Siliziumindustrie ermöglicht. Die Anlage erreicht die höchste On-Wafer-Uniformity mit einer Multi-Wafer-Konfiguration für maximalen Durchsatz und Ausbeute. Wir freuen uns, gemeinsam mit dem Team von Exagan bei der Serienproduktion von 200 mm GaN-auf-Silizium-Materialien für effiziente Anwendungen in der Leistungselektronik zusammenzuarbeiten“, erklärt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Power Electronics der AIXTRON SE.

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