AIX G5+ C in Gemeinschaftsprojekt mit imec für die Herstellung von GaN-on-Si-Hochspannungsmaterialien qualifiziert

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass ihre G5+ C Multi-Wafer MOCVD-Plattform im Rahmen der Kooperation mit dem belgischen Nanoelektronik-Forschungszentrum imec (Interuniversity Microelectronics Centre) im Bereich der Galliumnitrid (GaN)-Leistungsbauelementetechnologie für die Herstellung spezieller Pufferschichten qualifiziert wurde.

Vor kurzem erhielten AIXTRON und imec den renommierten CS Industry Award 2016. AIXTRON in der Kategorie „High Volume Manufacturing“ für die G5+ C und imec in der Kategorie „Substrates and Materials“ für die Entwicklung von GaN-auf-Si-Materialien. Um die Expertise beider Partner zu kombinieren, ist AIXTRON dem Industriepartnerprogramm von imec für die Weiterentwicklung der GaN-auf-Si-Hochleistungsbauelemente-Technologie beigetreten. Im Rahmen dieses Programms wurde die 5x200 mm G5+ MOCVD-Plattform von AIXTRON für die Integration der proprietären dispersionsfreien Hochspannungspuffertechnologie von imec qualifiziert. Dieses Ziel wurde innerhalb sehr kurzer Zeit erreicht und zeigt damit das hohe technologische Niveau des AIX G5+ C-Systems.

Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Marketing und Business Development Power Electronics bei AIXTRON, kommentiert: „Wir freuen uns, die erfolgreiche Qualifikation der proprietären 200 mm GaN-auf-Si Materialtechnologie von imec auf unserer G5+ C-Anlage, die für die Großserienfertigung ausgelegt ist, bekanntgeben zu können. Dieser Erfolg basierte hauptsächlich auf der schnellen Implementierung des Portfolios qualifizierter Beschichtungsprozesse durch die Epitaxie-Teams von imec und AIXTRON, welche die komplexen epitaktischen, auf Hochspannungs-Schaltanwendungen ausgerichteten Materialschichten gemeinsam aufbauten.

„Imec hat vor allem leistungsstarke und zuverlässige GaN-Leistungsbauelemente im Blick, die gemeinsame Anstrengungen von Anlagen- und Materialtechnik erfordern“, so Rudi Cartuyvels, Senior Vice President Smart Systems und Energy Technologies bei imec. „Da die AIX G5+ C genau dies ermöglicht, sind wir mit dem schnellen Transfer unserer Prozesse zur Herstellung unserer Bauelementestrukturen auf die neue Anlage sehr zufrieden. Wir freuen uns, dass AIXTRON Teil des GaN-Industriepartnerprogramms von imec ist und sehen einer Fortsetzung der erfolgreichen Zusammenarbeit mit Vorfreude entgegen.“

Die G5+ C von AIXTRON ist das erste vollautomatische GaN-auf-Si-Produktionssystem, einschließlich eines Cassette-to-Cassette Wafer-Ladesystems und einer automatischen in-situ Reinigung der Reaktorkammer. Dabei demonstrierte die Planetenanlage AIX G5+ C gleichzeitig höchste Homogenitätskontrolle der Schichteigenschaften und geringste Partikelerzeugung.

Auf der Grundlage eines Portfolios qualifizierter MOCVD-Prozesse bei AIXTRON, das speziell auf die Bedürfnisse der Hersteller von GaN-auf-Si HEMTs (High Electron Mobility Transistors = Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) zugeschnitten ist, könnten in der Kooperation mit imec typische Herausforderungen, wie die Verspannungsoptimierung des AIGaN/GaN-Materials auf 200 mm Si-Substraten, die hochwertige AIN-Nukleation auf Si-Substraten und das vertiefungsfreie Wachstum hochwertiger Pufferschichten erfolgreich angegangen werden.

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