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Pressemeldungen

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Zeitraum
18. September 2012 | Pressemeldungen

IMR in China entwickelt Kohlenstoff-Nanoröhren und Graphen mit AIXTRON Anlage

Das Institute of Metal Research (IMR) an der Chinese Academy of Sciences hat im ersten Quartal 2012 eine BM Pro PECVD-Anlage in einer 4-Zoll-Konfiguration zur Herstellung von Kohlenstoff-Nanoröhren (CNT) und Graphen bestellt.

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14. September 2012 | Pressemeldungen

AIXTRON veranstaltet LED-Seminar im chinesischen Suzhou

Wegweisende Möglichkeiten der MOCVD-Technologie

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11. September 2012 | Pressemeldungen

Projekt „Low Energy Electronics Systems"(LEES) fördert Energieeffizienz in Singapur mit AIXTRON Anlagen

GaN-auf-Si: Logik und Licht auf einem Chip

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04. September 2012 | Pressemeldungen

Universität Osaka produziert neuartige Biosensoren mit AIXTRON Anlage

Die Universität Osaka in Japan hat im dritten Quartal 2012 eine BM* Pro-Anlage für 4-Zoll-Substrate bei AIXTRON bestellt.

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30. August 2012 | Pressemeldungen

Showa Denko: Umstellung auf 150mm Siliziumkarbid-Wafer mit AIXTRON Technologie

Der japanische Hersteller Showa Denko mit Sitz in Chichibu erweitert seine AIXTRON Anlagenbasis um einen Warmwand-Planetenreaktor für 100mm- bzw. 150mm-Wafer zur Herstellung von Siliziumkarbid (SiC).

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28. August 2012 | Pressemeldungen

Universität Stuttgart bestellt weitere AIXTRON Anlage

Gemeinsames Forschungsprogramm für III/V-Diodenlaser auf Silizium

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Veranstaltungskalender

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Veröffentlichung Konzern-Halbjahresfinanzbericht H1/2024 Datum 25.07.2024 Erinnerung Erinnerung
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