United Silicon Carbide entwickelt SiC-Bauelemente nächster Generation mit AIXTRON SiC-Planetenreaktor-Technologie

„Neben einer Analyse und Bewertung aller Hersteller von SiC-Epitaxie-Anlagen haben die guten Ergebnisse unserer Zulieferer, die kommerzielle Episubstrate auf AIXTRON Anlagen herstellen, den Ausschlag gegeben“, erläutert Dr. John Hostetler, technischer Direktor bei USCi. „Wir werden mit dem neuen Heißwandreaktor Epitaxieschichten aus p- sowie n-leitendem SiC von hoher Qualität herstellen und die Vielseitigkeit der Anlage für eine Reihe neuer Bauelemente-Designs nutzen.“ Dank hoher Wachstumsraten eigne sich diese auch ideal für die Entwicklung der nächsten Generation von SiC-Bauelementen im Hochspannungsbereich (5-15kV) mit Schichtdicken über 100 Mikrometern. „AIXTRONs Planetenreaktor-Anlagen haben sich in den letzten Jahren zum technischen Standard für die Massenproduktion von SiC-Bauelementen entwickelt“, so Dr. Hostetler. Durch den Erwerb der VP2400 könne USCi die eigenen Prozesse wiederum auf Anlagen seiner Unterlieferanten von Epitaxiewafern übertragen."

„Wir haben unsere SiC-Planetenreaktor-Technologie in den letzten zehn Jahren stetig weiterentwickelt, daher spiegelt das Anlagendesign unser gesamtes Wissen über die Abscheidung von Silliziumkarbid“, fügt Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Geschäftsführer von AIXTRON AB Schweden hinzu. „Wir freuen uns sehr, an der Entwicklung von SiC-Materialien für Baulelemente der nächsten Generation unseres Geschäftspartners zu partizipieren."

Über AIXTRON

AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und opto-elektronische Anwendungen (Photonik)  auf Basis von Verbindungs-, Silizium- und organischen Halbleitermaterialien sowie Kohlenstoff-Nanostrukturen, Graphen und weiteren Nanomaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in der Displaytechnik, der Signal- und Lichttechnik, Glasfaser-Kommunikationsnetzen, drahtlosen und mobilen Telefonie-Anwendungen, der optischen und elektronischen Datenspeicherung, der Computer-Technik  sowie einer Reihe anderer High-Tech-Anwendungen eingesetzt.

Über United Silicon Carbide, Inc.

United Silicon Carbide Inc. ist auf die Entwicklung effizienter SiC-Bauelementen spezialisiert, wie Schottky Dioden, JFETs*, Bipolartransistoren, Sicherungen, Leistungsmodule sowie kundenspezifische integrierte Schaltungen. Mit  energiesparenden, kostenbewussten Lösungen stellt das Unternehmen Technologien und Produkte für Zukunftsmärkte bereit, mit dem Ziel, eine ökologisch nachhaltigere Wirtschaft voranzutreiben. Dazu gehören Wind- und Solarkraft, Energiespeicher, Elektrifizierung des Transports sowie neue intelligente Stromnetze (sogenannte Smart Grids). So werden intelligentere Stromnetze, Steuersysteme und andere Anwendungen möglich, die höhere Effizienz, kompakteres Designs oder anspruchsvolle thermische Bedingungen erfordern.

*JFETs, Junction gate field-effect transistors = Sperrschicht-Feldeffekttransistoren

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®