GlobiTech setzt auf AIXTRON für Expansion in den SiC-Markt

GlobiTech setzt auf AIXTRON für Expansion in den SiC-Markt

AIXTRONs G10-SiC ermöglicht führender Foundry den Eintritt in die Großserienproduktion für die SiC-Epitaxie.

Herzogenrath, 18. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) unterstützt die Foundry GlobiTech Inc. ("GlobiTech") dabei, ihr Geschäft auf Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie auszuweiten. Die Grundlage hierfür bildet AIXTRONs neue G10-SiC-Anlage: Sie ermöglicht es GlobiTech, einer der weltweit größten Silizium-Epitaxie-Foundries, die SiC-Epitaxie-Produktion schnell ins Volumen zu bringen, um die global steigende Nachfrage nach Power SiC -Epi-Wafern zu bedienen. GlobiTechs Entscheidung für die G10-SiC ist eine zukunftsweisende Investition, denn AIXTRONs neues System, das eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen von 9x150 und 6x200 mm bietet, ermöglicht den höchsten Durchsatz pro Produktionsfläche, der aktuell in der SiC-Industrie erreicht wird.

Die G10-SiC wurde offiziell im September 2022 vorstellt. Innerhalb kürzester Zeit hat sich die neue Anlage zum Referenzsystem für Hersteller von Leistungselektronik auf Basis von 150- und 200-mm-SiC-Bauelementen sowie für Foundries wie GlobiTech entwickelt. GlobiTech ist eine hundertprozentige Tochtergesellschaft von GlobalWafers Co. ("GlobalWafers"), die Siliziumkarbid- und Silizium-Epitaxie-Wafer herstellt und sich auf den Energiesektor und das Marktsegment der Elektrofahrzeuge (EV) konzentriert.

"Wenn einer der größten Epi-Wafer-Hersteller und Foundries wie GlobiTech sein Geschäft diversifiziert, ist das ein klares Signal für einen langanhaltenden Trend in der Halbleiterindustrie: SiC ersetzt in immer mehr Anwendungen das klassische Silizium. Entscheidet sich ein führendes Unternehmen wie GlobiTech für AIXTRON und für unsere neue G10-SiC, ist es darüber hinaus natürlich eine große Ehre und gleichzeitig noch vielmehr: Denn es bestätigt unsere Gesamtstrategie und ist ein Indiz für weiteres Wachstum", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

GlobiTech mit Sitz in Sherman im US-Bundesstaat Texas nutzt neben der G10-SiC von AIXTRON aktuell auch Anlagen des Typs G5WW C, um damit im industriellen Maßstab zu produzieren. In den kommenden Jahren werden weitere Anlagenkapazitäten installiert. Nach dem Vorbild des Siliziumgeschäfts liefert GlobiTech für den Markt sowohl SiC-Substrate als auch SiC-Epitaxie.

„Mit AIXTRON haben wir einen starken Partner gefunden, der uns dabei unterstützt, unsere Vision sowie unsere Pläne und das Geschäft auf den SiC-Epitaxie-Markt auszuweiten. Das ist ein entscheidender Schritt, da die SiC-Technologie einer der am schnellsten wachsenden Zweige in der Halbleiterindustrie ist. Mit den AIXTRON-Anlagen gelingt es uns, in unserer Fab den höchsten Wafer-Ertrag zu erzielen. Hinzu kommt, dass das Team von AIXTRON einfach genau weiß, was es im Wettbewerb mit Silizium braucht, um in diesem Markt erfolgreich zu wachsen – und das ist gepaart mit einem hervorragenden Kundenservice", sagt Mark England, Präsident von GlobalWafers.

Die G10-SiC ist die erste SiC-Epitaxie-Anlage auf dem Markt, die die Produktion von SiC-Epi-Wafern im industriellen Maßstab ermöglicht.  Da die G10-SiC eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen mit 9x150 und 6x200 mm bietet, unterstützt sie die SiC Industrie maßgeblich bei dem Übergang von derzeit 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll) Wafer-Durchmesser. Die neue Plattform basiert auf AIXTRONs bewährten Lösung zur vollautomatischen Wafer-Beladung von Kassette zu Kassette (Cassette-to-Cassette) inklusive Hochtemperatur-Wafer-Transfer. In Kombination mit den Prozessfähigkeiten für hohe Wachstumsraten und einer exzellenten Epi-Wafer-Leistung in Bezug auf Qualität und Uniformität bietet die G10-SiC den besten Durchsatz ihrer Klasse pro Quadratmeter Produktionsfläche. Damit ermöglicht sie die niedrigsten Betriebskosten, die bisher in der Industrie erreicht wurden. AIXTRON geht davon aus, dass die neue G10-SiC im Jahr 2023 das meistverkaufte Produkt des Unternehmens sein wird.

Das Wide-Bandgap-Material SiC ist auf dem besten Weg, zur Mainstream-Technologie für effiziente Leistungselektronik zu werden. Durch den zunehmenden Einsatz von SiC-basierten Leistungshalbleitern in Lösungen für die Elektromobilität und den Ausbau der Ladeinfrastruktur steigt die weltweite Nachfrage nach SiC-Wafern rapide an. Mit seinen herausragenden Materialeigenschaften bieten SiC-Halbleiter eine höhere Energieeffizienz als herkömmliche Leistungselektronik auf Basis von Silizium. Entsprechend trägt SiC erheblich dazu bei, den globalen CO₂-Fußabdruck zu reduzieren.

Ansprechpartner

Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
mobile +49 (151) 74607360
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

AIXTRON G10-SiC wurde im September 2022 offiziell vorgestellt. 

AIXTRONs G10-SiC verfügt über eine flexible Konfiguration mit zwei Wafer-Größen von 9x150 und 6x200 mm.

 

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und umwandlung, Kommunikation, Signal und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

About GlobalWafers

GlobalWafers is a multinational corporation, with 17 manufacturing and operation sites located in 9 countries. GlobalWafers has a wholly-owned subsidiary, GlobiTech, located in Sherman, which manufactures silicon carbide and silicon epitaxial wafers focused on power and electric vehicle (EV) market segments. Additionally in the United States, GlobalWafers has a 200-millimeter silicon-on-insulator wafer factory located in St. Peters, Missouri, and is in the process of a 300-millimeter silicon-on-insulator expansion to address burgeoning radio frequency (RF) applications.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.