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11. April 2012 | Nanotechnologie
Das National Institute Advanced Industrial Science and Technology (AIST) in Japan hat eine AIXTRON BM 300-Anlage erfolgreich in Betrieb genommen. Die Anlage wurde 2011 von AIXTRONs Serviceteam im Reinstraum des japanischen Instituts in Tsukuba installiert. Im Rahmen der MRS Spring Konferenz 2012 präsentierte AIST-Gruppenleiter Dr. Shintaro Sato am 10. April die Resultate.
AIXTRON BM 300 mit automatischer Waferbestückung
Fumio Yoshida and Andy Newham (AIXTRON) zeigen einen 300 mm Graphenwafer
„Mit der Abscheidung von Graphen-Monoschichten auf 300 mm Wafern bei AIST haben wir das nächste wichtige Etappenziel erreicht”, erläutert Dr. Ken Teo, Direktor des Nanoinstruments-Bereichs bei AIXTRON. „Die BM 300 ist die fortschrittlichste Technologie zur Herstellung von Graphen." Neben einem hochmodernen System für äußerst präzise Gaszuführung der Ausgangsmaterialien wird sie standardmäßig mit einem ARGUS In-Situ-Pyrometer zur Messung der Oberflächentemperatur, einem Heizsystem für optimale Temperaturverteilung auf dem Wafer sowie einem Transfermodul zur automatischen Waferbestückung ausgeliefert. „Die außergewöhnlich präzise Kontrolle und hohe Reproduzierbarkeit der Anlage auf 300 mm Graphen-Wafern ist zwingend notwendig, um Graphen im großen Wafer-Maßstab abscheiden zu können", so der AIXTRON Experte weiter. „Damit haben wir die Grundlage geschaffen, um die einzigartigen Eigenschaften dieses Materials bei der Herstellung der nächsten Generation von Halbleiter-Bauelementen in vollem Umfang nutzen zu können."
Das Team um Dr. Sato wird mit der Anlage hochwertiges Graphen mit einer kontrollierten Anzahl von Schichten abscheiden – eine wesentliche Voraussetzung, um mit dieser Prozesstechnologie CMOS-Feldeffekttransistoren mit niedrigen Betriebsspannungen unterhalb 0,3 Volt herzustellen.
Das Projekt erhält Förderung durch das FIRST*-Programm. Mit der Bereitstellung von Forschungsergebnissen unterstützt FIRST zukunftsfähige Forschungsinitiativen, die einen Beitrag zur Stärkung von Japans Wettbewerbsfähigkeit am Weltmarkt und zum Wohl von Gesellschaft und Bevölkerung leisten. Das Programm wurde 2009 vom Ausschuss für Wissenschafts- und Technologiepolitik (Kabinettbüro der japanischen Regierung) und der japanischen Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaft bewilligt.
Die Waferprozessierung findet in Zusammenarbeit mit dem AIST angeschlossenen GNC (Green Nanoelectronics Center) unter der Leitung von Dr. Naoki Yokoyama im Rahmen des Forschungsprojekts ‘Entwicklung von Schlüsseltechnologien für die grüne Nanoelektronik´ statt, das ebenfalls von FIRST gefördert wird. Das GNC besteht seit April 2010 und beschäftigt Wissenschaftler aus institutioneller und industrieller Forschung.
*FIRST, Funding Program for World-Leading Innovative R&D on Science and Technology = Förderprogramm für weltweit führende innovative wissenschaftliche und technologische Forschung & Entwicklung.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Alan Tai
Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
Christian Geng
Europe
Hisatoshi Hagiwara
Japan
Nam Kyu Lee
South Korea
Wei (William) Song
China
AIXTRON SE (Headquarters)
AIXTRON 24/7 Technical Support Line
AIXTRON Europe
AIXTRON Ltd (UK)
AIXTRON K.K. (Japan)
AIXTRON Korea Co., Ltd.
AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
Recruiter
Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications