Nano Carbon entwickelt Graphen mit AIXTRON Anlage

Der polnische Hersteller Nano Carbon hat eine AIX G5 WW-Anlage von AIXTRON für die Herstellung von Graphen-auf-Siliziumkarbid bestellt. Das teilte die AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein führender Hersteller von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, heute mit. Nano Carbon verfügt über eine patentierte Technik zur kostengünstigen Herstellung von epitaktisch gewachsenem Graphen, das mit der AIXTRON Anlage realisiert werden kann.

Die Anlage wurde im ersten Quartal 2015 bestellt und ist für 10x100 mm- bzw. 6x150 mm- Substrate pro Fertigungslauf konfiguriert. Die Auslieferung ist für das vierte Quartal geplant.

Das Startup Nano Carbon wurde 2011 gegründet und verwendet eine am Institute of Electronic Materials Technology in Warschau entwickelte Technologie. „Mit der AIX G5 WW-Anlage werden wir die Entwicklung von Graphen-auf-Siliziumkarbid weiterführen bis hin zur Kommerzialisierung dieser Technologie im industriellen Maßstab“, erklärt Dr. Wlodek Strupinski vom Institut die Pläne.

Dr. Frank Schulte, Vice President AIXTRON Europe, ergänzt: „Gerne stellen wir unsere Anlage für den Eintritt in dieses vielversprechende Technologiefeld bereit und werden Nano Carbon bei seinen Expansionsplänen unterstützen.“

Die AIX G5 WW liefert hohen Wafer-Durchsatz und wurde für die sehr hohen Temperaturen entwickelt, die bei der Abscheidung von epitaktischem Graphen-auf-Siliziumkarbid erforderlich sind.  

Nano Carbon ist assoziiertes Mitglied im EU-Projekt „Graphen-Flaggschiff“, in dem AIXTRON das Arbeitspaket Produktion leitet. Forschungsgruppen und Industrien, die sich mit der Entwicklung neuartiger Bauelemente auf der Basis von Graphen beschäftigen, sollen künftig von Nano Carbon mit hochwertigem Graphen beliefert werden.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®