AIXTRON erhält CS High-Volume Manufacturing Award

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat für das neue voll automatisierte MOCVD-System AIX G5+ C bei der Verleihung der CS Industry Awards 2016 die Auszeichnung in der Kategorie „High-Volume Manufacturing“ erhalten. Die Preise für die Halbleiterindustrie werden auf Basis einer Umfrage innerhalb der Industrie für besonders innovative Lösungen bei der Herstellung von Halbleiter-Chips vergeben – angefangen von der Forschung bis hin zum fertigen Bauteil. Nominiert werden Personen, Prozesse und Produkte, die entscheidend zur Weiterentwicklung der Industrie beitragen.

„Es gibt zwei Möglichkeiten, um die Herstellungskosten zu senken: zum einen die Skalierung auf größere Wafer, zum anderen der Wechsel zu Siliziumsubstraten. Mit AIXTRON’s jüngster Anlage stehen nun beide Optionen zur Verfügung“, kommentierten die Juroren von Compound Semiconductor die Entscheidung.

Dr. Frank Wischmeyer, Vice President Marketing & Business Development Power Electronics von AIXTRON, der den Preis im Rahmen der CS International-Konferenz in Brüssel entgegennahm, freute sich: „Die AIX G5+ C ist die erste vollständige MOCVD-Systemlösung, die die Produktionsanforderungen der Industrie an die Epitaxie für die Herstellung von GaN-auf-Silizium LED und Leistungsbauelementen umsetzt. Durch die Kombination von zwei zentralen Innovationen in einem neuen Produkt, ermöglicht AIXTRON einen durchgängigen Produktionsablauf für LED oder Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT) ohne Eingriff des Anlagenbedieners, aber mit dem Volumen der 150 mm oder 200 mm Batch-Systemarchitektur. Zum ersten Mal wurde hier eine industrielle Standardlösung für die Nutzung von MOCVD-Anlagen in Produktionslinien für silizium-basierte Logikbauelemente (CMOS) geschaffen, indem der MOCVD-Batchtechnologie die Automatisierung der Waferproduktion mittels eines Cassette-to-Cassette-Handlers hinzugefügt wurde.“

Die AIX G5+ C erleichtert die Handhabung und Verarbeitung von Siliziumwafern unter industriellen Bedingungen und ermöglicht eine Produktion mit höchster Ausbeute. Der von AIXTRON eigens für die Reaktorkammer entwickelte in-situ Reinigungsprozess erlaubt die vollständige Kontrolle der Reaktorbedingungen ohne die Notwendigkeit zur Reinigung von externen Teilen oder der Aufbereitung dieser Teile im MOCVD-Reaktor nach der Reinigung. Dieser Reinigungsprozess ist vollautomatisiert und macht damit jegliches manuelles oder automatisches Entfernen von Hardware-Komponenten aus der Reaktorkammer zu Reinigungs- oder Aufbereitungszwecken überflüssig.

Die AIX G5+ C wurde durch die Industrie bereits erfolgreich für die Serienproduktion von GaN LED und leistungsstarken HEMT qualifiziert. Dabei demonstrierte die Anlage auch den erheblichen Anstieg bei Waferdurchsatz und Produktausbeute.

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