SINANO verstärkt Nitrid-Halbleiterforschung mit AIXTRON Anlagen

Damit soll die Forschung im Bereich der Nitrid-Halbleiter verstärkt werden. Die neuen Systeme werden zwischen dem vierten Quartal 2012 und dem ersten Quartal 2013 ausgeliefert.

SINANO erhält eine 6x2-Zoll Anlage - hauptsächlich für Forschungsaufgaben - sowie einen CRIUS-Reaktor für die Massenproduktion, in dem sich 31x2- bzw. 3x6-Zoll-Substrate in einem einzigen Produktionslauf beschichten lassen.

„Unsere Abteilung für Nano-Bauelemente und -materialien wird damit neue Anwendungen entwickeln", so Dr. Hui Yang, Direktor des Instituts. „Während die 2-Zoll-Anlage für die Entwicklung Galliumnitrid (GaN)-basierter Laserdioden vorgesehen ist, wollen wir mit der CRIUS GaN-auf-Si bzw. HEMT*-Transistoren herstellen."

Die Abteilung Nano-Bauelemente und -materialien wurde 2006 gegründet. Dort befasst sich eine Forschungsgruppe ausschließlich mit der Entwicklung von Hochleistungs-LEDs und Laserdioden (LD) mit einem 6x2-Zoll Close Coupled Showerhead-Reaktor. Expertise soll nun auch in der Leistungselektronik aufgebaut werden.

GaN-basierte HEMTs werden überwiegend auf Silizium entwickelt und gelten als vielversprechende Möglichkeit für die Massenproduktion von Leistungsbauelementen, etwa für Hochfrequenz- und Leistungsschalter-Anwendungen. Elektroniksysteme, die mit diesen Bauteilen ausgestattet sind, wären kompakter und effizienter und würden darüber hinaus weniger komplexe Schaltungen, weniger passive Komponenten und eine geringere Kühlung benötigen.

SINANO wurde 2006 auf Initiative der Chinese Academy of Science (CAS), der Provinzregierung von Jiangsu und der Stadtverwaltung von Suzhou gegründet. Das Institut fördert die strategische Grundlagenforschung als Ausgangspunkt für technologische Innovation auf höchstem internationalen Niveau. Alle Forschungsaktivitäten orientieren sich an Chinas nationalem Strategieplan und zielen darauf ab, die industrielle Entwicklung des Landes weiter voranzubringen.

*HEMT, high-electron-mobility transistor = Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®