Großer Speicherchiphersteller qualifiziert AIXTRONs ALD-Produktionsanlage QXP-8300Großer Speicherchiphersteller qualifiziert AIXTRONs ALD-Produktionsanlage QXP-8300

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass ein großer Speicherchiphersteller das Anlagenmodell QXP-8300 zur Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition=ALD, engl.) qualifiziert hat. Das System eignet sich vor allem für die Herstellung von High-K-Oxidfilmen, die in zahlreichen modernen Speicheranwendungen, speziell in dreidimensionalen Bauelementstrukturen, genutzt werden.

„Wir freuen uns, dass unser Kunde die Evaluation unserer QXP-8300 ALD-Anlage zur Herstellung modernster, hochleistungsfähiger Speicherelemente abgeschlossen hat. Das QXP-8300-System ermöglicht die Produktion hochentwickelter Schichten mit exzellenten elektrischen und bauelementspezifischen Eigenschaften. AIXTRON freut sich, die Speicherentwicklungspläne unseres Kunden auch weiterhin mit der Bereitstellung von Produktionsausrüstung zu unterstützen, welche die Herausforderungen einer sich rapide entwickelnden Industrie angeht“, sagt Bill Bentinck, Vizepräsident und General Manager von AIXTRON Inc., USA.

Da sich die Verkleinerung von Halbleiterspeicherzellen fortsetzt, benötigen die Hersteller modernste Technologien für die Abscheidung präziser Schichten dielektrischer, metallischer und nichtflüchtiger Speichermaterialien. AIXTRON’s QXP-8300 ALD-Anlage kombiniert die patentierte TriJet-Verdampfungstechnologie mit dem bewährten Close Coupled Showerhead-Prinzip und ermöglicht so den Einsatz von Ausgangsmaterialien mit niedrigem Dampfdruck, wie sie zur Herstellung von Higher-K-Dielektrika und Metallnitriden zur Steigerung der Leistung benötigt werden.

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Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®