AIXTRON erhält CS Manufacturing Award 2013 für AIX G5+ GaN-auf-Si-Plattform

"Galliumnitrid auf Silizium kann die Leistungselektronik von Grund auf verändern, die Herstellungskosten für LEDs drastisch senken und damit die gesamte Beleuchtungsindustrie revolutionieren“, so Richard Stevenson, Chefredakteur der Zeitschrift Compound Semiconductor (CS). „Eine Produktionsanlage, von der ich glaube, dass sie dabei eine entscheidende Rolle spielen wird, ist die AIX G5+, denn sie verbindet höchsten Durchsatz mit beeindruckender Homogenität." AIXTRON Vice President Europe Dr. Frank Schulte nahm den Preis gestern im Rahmen der CS Europe-Konferenz in Frankfurt entgegen.

„Wir freuen uns sehr, aufgrund unserer führenden Leistungen im Bereich GaN-auf-Si diesen wichtigen Preis der Halbleiterindustrie als Anerkennung entgegenzunehmen“, erklärt Andreas Toennis, Chief Technology Officer bei AIXTRON. „Unser Ziel bei der Entwicklung der AIX G5+ war es, GaN-basierte Bauelemente auf Silizium herstellen zu können, ohne Kompromisse in der Leistungsfähigkeit und Ausbeute im Vergleich mit saphirbasierten Prozessen eingehen zu müssen.“

“Die GaN-auf-Si-Technologie hat großes Potenzial sowohl für Anwendungen in der Leistungselektronik als auch bei der Herstellung hochwertiger LEDs“, ergänzt Dr. Frank Schulte.

Mit einer Reaktorkapazität von 5x200 mm Wafern pro Produktionslauf liefert die AIX G5+ maximalen Durchsatz und höchste Erträge bei der Entwicklung von GaN-Bauelementen auf größeren Substraten.