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12. März 2013 | Pressemeldungen
Der AIX G5+ Reaktor für GaN-auf-Si
Der US-amerikanische Hersteller Transphorm Inc. hat im vierten Quartal 2012 eine AIX G5+-Anlage von AIXTRON bestellt. Mit dem für 5x200 mm (5x8-Zoll) Wafer konfigurierten Reaktor will Transphorm die Kapazitäten für seine GaN-auf-Si-Produktion ausbauen. Die Auslieferung erfolgt im zweiten Quartal 2013.
„Bei der neuen Bestellung ging es uns neben der Kapazitätssteigerung auch darum, unsere Leistungsfähigkeit von 150 mm auf 200 mm Wafer zu steigern und die damit verbundenen Skalierungseffekte vollständig auszuschöpfen“, so Transphorm-Geschäftsführer Primit Parikh. „Größere Wafer senken zudem die Betriebskosten. Daher werden wir uns in Zukunft noch stärker auf diese Technologie konzentrieren."
„AIXTRON hat die G5+ passgenau auf die Anforderungen von Kunden wie Transphorm entwickelt“, so Dr. Frank Wischmeyer, Vice President und Programm-Manager für Leistungselektronik bei AIXTRON. „GaN-auf-Si entwickelt sich rasant – also erwartet die Branche auch, dass wir kurzfristig kommerzielle Produkte zur Verfügung stellen. Erfolgreich kann diese Technologie jedoch nur sein, wenn sie höchste Qualitätsstandards mit niedrigsten Betriebskosten verbindet.“ Die Anlage sei so entwickelt worden, dass sie über viele Produktionsläufe hinweg stabile und homogene Prozesse auf großen Wafern liefert.
Bereits 2010 bestellte Transphorm die erste AIXTRON Anlage – eine AIX 2800G4 HT in einer 6x150 mm Waferkonfiguration. „Der Reaktor ist äußerst leistungsfähig“, so Herr Parikh, „wir erwarten daher, dass wir den anstehenden Schritt auf größere Wafer genauso mühelos und schnell vollziehen können."
Die AIX G5+ basiert auf AIXTRONs bewährter G5 HT-Plattform. Dank stabiler, homogener Ergebnisse ermöglicht sie höhere Erträge als jede andere MOCVD-Anlage im Markt.
Mit leicht integrierbaren Leistungswandler-Bauelementen und Modulen zu erschwinglichen Preisen, die Energieverluste um bis zu 50 Prozent reduzieren, definiert Transphorm die elektrische Umrichtungstechnologie neu. Die Lösungen des Herstellers auf Basis von Galliumnitrid vereinfachen Design und Herstellung von Stromversorgungen, Solar-Wechselrichtern, Leistungsreglern, Motorantrieben und elektrischen Fahrzeugen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Alan Tai
Taiwan/Singapore
Christof Sommerhalter
USA
Christian Geng
Europe
Hisatoshi Hagiwara
Japan
Nam Kyu Lee
South Korea
Wei (William) Song
China
AIXTRON SE (Headquarters)
AIXTRON 24/7 Technical Support Line
AIXTRON Europe
AIXTRON Ltd (UK)
AIXTRON K.K. (Japan)
AIXTRON Korea Co., Ltd.
AIXTRON Taiwan Co., Ltd. (Main Office)
AIXTRON Inc. (USA)
Laura Preinich
Recruiter
Tom Lankes
Talent Acquisition Expert - Ausbildungsleitung
Christoph Pütz
Senior Manager ESG & Sustainability
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
Ralf Penner
Senior IR Manager
Prof. Dr. Michael Heuken
Vice President Advanced Technologies
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications