Hong Kong University erforscht III/V-Halbleiter auf Silizium mit AIXTRON CCS

Nach der Auslieferung im ersten Quartal 2011 wird HKUST damit As/P/Sb-basierte** Materialien auf Siliziumsubstraten für die Erforschung elektronischer/photonischer Anwendungen herstellen. Ein Serviceteam von AIXTRON wird die neue Anlage im Forschungslabor des Instituts im Fachbereich Elektro- und Computertechnik in Betrieb nehmen. „Zwischen AIXTRON und unserem Institut besteht seit vielen Jahren eine enge Verbindung“, sagt Professor Kei May Lau. „So konnten wir große Sachkenntnis über Technologie, Prozesse und Verfahrensweise aufbauen und wollen nun auch neue Projekte mit AIXTRON durchführen." Die Anlage bilde das Kernstück für die Erforschung von III/V-Verbindungshalbleitern auf Silizium – insbesondere die Hochtemperaturfähigkeit des Reaktors (>1.000 °C) sei dabei essenziell, so die Professorin.

AIXTRON Vice President Greater China, Dr. Christian Geng, fügt hinzu: „Professor Kei May Lau betreibt seit jeher Spitzenforschung zu III/V-Halbleitern und MOCVD. Ich freue mich, dass unsere Kunden – und damit auch AIXTRON – an diesem innovativen Projekt im Rahmen eines Referenzlabors teilhaben." Professor Lau habe bereits zahlreiche Single- und Multiwafer-Anlagen von AIXTRON für die Herstellung von Arsenid, Phosphid und Nitrid im Einsatz, so Dr. Geng weiter. Dies sei jedoch die erste Close Coupled Showerhead-Anlage für die Universität. Er werte die Bestellung als erneuten Beweis für die hohe Reputation der leistungsfähigen, flexiblen Technologie, die alle Anforderungen der Epitaxie-Forschung optimal erfülle.

Professor Lau hat seit 2000 eine Professur am Lehrstuhl für Elektro- und Computertechnik an der Universität HKUST. Dort etablierte sie das wissenschaftlich-technische Photonikzentrum für Forschung & Entwicklung mit einem besonderen Fokus auf Verbindungshalbleiter-Materialien und -Bauelementen. Sie ist IEEE-Mitglied und Forschungsbeauftragte der Croucher Foundation.

Die Arbeitsgruppe von Prof. Lau berichtete 2008 bei der IEDM-Konferenz über metamorphe Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As-Transistoren (mHEMT) mit einer Gate-Länge von 1,0-μm und hohen Elektronenbeweglichkeiten, die mit einer AIXTRON 200/4-Anlage auf Siliziumsubstraten hergestellt wurden. Sie verfügten über eine Grenzfrequenz der Stromverstärkung (fT) von 37 GHz sowie einer maximalen Schwingfrequenz (fmax) von 55 GHz. Ebenfalls auf Silizium werden Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren auf Indium-Gallium-Arsenid-Basis entwickelt.

* MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
** As/P/Sb-basierte Materialien = Materialien auf Basis von Arsenid/Phosphid/Antimonid

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®