Beiji Haotian Technology steigert Hochleistungs-LED-Kapazitäten mit AIXTRON G4- und G5-Anlagen

Ein Serviceteam von AIXTRON China wird die Inbetriebnahme in der Produktionsstätte in YiXing City, Jiangsu vornehmen. 

„Dank der engen Zusammenarbeit mit AIXTRON konnten wir unsere technischen Möglichkeiten im Bereich der Halbleiter-Epitaxie steigern", so Vizepräsident JiaYe Yang von Beiji Haotian Technology Co. Dies habe schließlich zu dieser größeren Investition in die LED-Sparte geführt. „Unsere Pläne sehen auch die weitere Zusammenarbeit mit der Tsinghua University vor, die den technischen Transfer von einer AIXTRON Planetary Reactor-Anlage auf die neuen Anlagen durchführen wird." Angesichts der nachgewiesenen Kompatibilität der AIXTRON Anlagen und deren exzellentem Prozesstransfer und Service rechne er mit einer reibungslosen Installation. „AIXTRONs Prozess-Ingenieure gelten als die erfahrensten auf diesem Gebiet."

Die Tsinghua University beteiligt sich an einer langfristig angelegten Kooperationsvereinbarung, dem sogenannten „Arctic Haotian Projekt für Hochleistungs-HB**-LED-Chips", das unter anderem einen Patent- und Technologietransfer im Bereich LED beinhaltet. Projektstandort soll die YiXing Wirtschaftsentwicklungszone in Jiangsu sein, wo Produktion, Forschung und Entwicklung sowie Schulung und Support dauerhaft durchgeführt werden sollen.

Bis Mai 2011 ist eine Investition von rund 473 Millionen Yuan (rund EUR 51,5 Mio.) für 1 W Hochleistungs-LED-Chips geplant. Phase II des LED-Projekts mit weiteren Investitionen von rund 500 Millionen Yuan (etwa EUR 54 Mio.) soll Ende 2012 abgeschlossen werden. In diesem Zusammenhang ist von zehn neuen MOCVD-Einheiten und zusätzlichen Fertigungsstraßen im Wert von 567 Tausend Yuan (rund EUR 62 Tsd.) sowie einem Investment für 1 W Hochleistungs-LED-Chips von rund 1,42 Milliarden Yuan (rund EUR 155 Mio.) die Rede.

* MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische Gasphasenabscheidung
** HB-LED-Chips, High Brightness LED chips = sehr helle LED-Chips

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®