AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik

AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik

Die Anlage bietet die beste Performance ihrer Klasse und ein kompaktes Cluster für die Großserienfertigung von GaN-basierten Leistungs- und HF-Bauelementen.

Herzogenrath, 06. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt. Die G10-GaN und ihre innovativen Features stellt der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie gerade auf der SEMICON Taiwan (6.-8. September 2023) in Taipeh vor. Die neue Plattform bietet die beste Performance ihrer Klasse, ein völlig neues kompaktes Design und insgesamt niedrigste Kosten pro Wafer.

„Wir sind stolz darauf, dass unsere neue G10-GaN-Plattform bereits von einem führenden US-Produzenten für die Serienproduktion von GaN basierter Leistungselektronik qualifiziert wurde.  Diese neue Anlagengeneration bietet gegenüber unserer früheren, bereits sehr guten Lösung – im Verhältnis zur Fläche im Reinraum – eine doppelte Produktivität. Dabei ermöglicht sie gleichzeitig ein neues Maß an Uniformität, was unseren Kunden große Wettbewerbsvorteile verschafft", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE und erklärt die Bedeutung von GaN-basierten Technologien: "Wir leben in sehr aufregenden Zeiten, denn GaN Power-Bauelemente spielen eine wichtige Rolle, die weltweiten CO₂-Emissionen wesentlich zu reduzieren. Sie bieten eine deutlich effizientere Leistungsumwandlung als herkömmliche Silizium (Si)-Bauelemente. Damit verringern sie die Verluste um den Faktor zwei bis drei. Wir gehen davon aus, dass dieser Markt bis zum Ende des Jahrzehnts und darüber hinaus um den Faktor von bis zu zehn wachsen wird. Bereits heute hat GaN bei Schnelllade-Netzteilen für Mobilgeräte klassisches Silizium ersetzt, und wir sehen eine steigende Nachfrage für Anwendungen in weltweiten Rechenzentren oder bei Solaranlagen.“

AIXTRON leistet seit mehr als 20 Jahren Pionierarbeit bei GaN auf Si Prozessen und bei der Entwicklung der entsprechenden Hardware. Der bisherige AIX G5+ C-Planetenreaktor war Dank In-Situ-Reinigung und Kassette-zu-Kassette-Automatisierung die erste vollautomatische GaN-MOCVD-Anlage ihrer Art und hat sich schnell zur Referenzanlage der GaN-Industrie entwickelt. Die neue G10-GaN Cluster Lösung baut auf diesem Marktführer auf und hebt dabei jede einzelne Leistungskennzahl auf die nächste Stufe.

Die Plattform verfügt über ein neues kompaktes Layout, um die Reinraumfläche bestmöglich ausnutzen zu können. Neuartige Reaktorkomponenten verbessern die Materialhomogenität um den Faktor zwei, was eine optimale Ausbeute ermöglicht. Die On-Board-Sensoren werden durch eine neue Software-Suite und Fingerprint-Lösungen ergänzt, um sicherzustellen, dass das System zwischen den Wartungsarbeiten an allen Prozessmodulen stets die gleiche Leistung erbringt. Das wiederum verlängert die verfügbare Betriebszeit im Vergleich zur vorherigen Generation um mehr als 5 Prozent.

Das Cluster kann mit bis zu drei Prozessmodulen ausgestattet werden: Dank Planeten-Batch-Reaktor-Technologie kommt die G10-GaN damit auf eine Rekordkapazität von 15x200mm Wafern, was eine Kostenreduzierung von 25 Prozent pro Wafer im Vergleich zu früheren Produkten ermöglicht.

Die Plattform G10-GaN von AIXTRON verfügt über ein neues kompaktes Layout, um die Reinraumfläche bestmöglich ausnutzen zu können.

Ansprechpartner

Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
mobile +49 (151) 74607360
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und umwandlung, Kommunikation, Signal und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.