DEPOSITIONSANLAGE FÜR VERBINDUNGSHALBLEITER

AIX G5 WW C

“Höchstleistung für die SiC-Leistungselektronik der Zukunft ebnet den Weg für Megatrends“

 

Multiwafer-Verarbeitung mit hohem Durchsatz bei gleichzeitiger Kontrolle der Einzelwafer - eine Kombination aus dem Besten beider Welten.

Vorteile

  • Bester Durchsatz und niedrigste Betriebskosten pro Wafer
  • Leistungsfähigkeit eines Einzelwafers in einer Multi-Wafer-Konfiguration für exzellente Qualität der Epitaxieschichten
  • Unterstützung des Marktaufbaus für SiC-Leistungselektronik dank kompatibler Automation für bestehende Silizium-Produktionslinien

Produkteigenschaften

  • Planetenreaktor mit Wafer-Transfer unter hohen Temperaturen
  • Effiziente Gasnutzung in der Produktionskammer
  • Temperaturkontrolle auf Wafer-Ebene
  • Verarbeitung der Wafer im Kassettenbetrieb ("Cassette-to-cassette", C2C)
  • Schnelle Epitaxie-Prozesse  
  • 8x150 mm-Konfiguration mit Einzelwafer-Rotation
  • AutoSat für Steuerung der inneren Wafer-Homogenität
  • Werksseitige SECS-GEM-Schnittstelle

AIX G5 WW C - Anlage mit automatisiertem Wafer-Transfermodul

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