Taiwanesische Episil produziert Leistungselektronikbauteile mit AIXTRON Anlage

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass der taiwanesische Konzern Episil Semiconductor Wafer, Inc. erfolgreich eine AIX G5 WW (Warm-Wall)-Anlage zur Herstellung von Siliziumkarbid (SiC) in Betrieb genommen hat.

Dr. Ian Chen, Vorstandsvorsitzender von Episil, erläutert: „Die hervorragende Materialqualität, die mit den Planetenreaktor-Anlagen von AIXTRON erzielt werden kann, hat den Ausschlag für diese Bestellung gegeben. Episil ist bereits ein führender Hersteller von siliziumbasierten Bauteilen zur Leistungssteuerung sowie von integrierten Schaltungen. Darüber hinaus verfügen wir über Erfahrungen mit AIXTRON’s MOCVD-Technologie zur Herstellung von Galliumnitrid-auf-Silizium-Komponenten (GaN-auf-Si) und planen nun, unser Portfolio auch auf SiC-basierte Bauelemente auszuweiten.“

Sowohl Siliziumkarbid als auch Galliumnitrid werden für Anwendungen in der Leistungselektronik weiterentwickelt. Obwohl SiC-Bauelemente bereits in verlustarmen Leistungsschaltern auf deutlich höheren Wechselfrequenzen als etablierte Silizium-Bauteile eingesetzt werden, sind für Halbleitermaterialien aus Siliziumkarbid sehr hohe Wachstumstemperaturen erforderlich. Das stellt wiederum spezielle Anforderungen an den Epitaxieprozess. Diese Anforderungen erfüllt die AIX G5 WW, die optimal auf die Herstellung einer neuen Generation von Leistungselektronik abgestimmt ist. Die Anlage kann acht Siliziumkarbid-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm verarbeiten und bietet nicht nur den höchsten Wafer-Durchsatz im Markt, sondern auch kürzere Durchlaufzeiten und niedrige Betriebskosten. Die Ingenieure von AIXTRON haben sowohl die Produktionsausbeute durch eine verbesserte Homogenität der 150 mm SiC-Wafer als auch die Entwicklung extrem robuster Prozesse maximiert.

Episil war bei der Gründung 1985 der erste Standort für Epitaxieprozesse in Taiwan. Heute beschäftigt das Unternehmen mehr als 1.400 Mitarbeiter und verfügt über eine Marktkapitalisierung von über 100 Mio. US-Dollar. Der Konzern betreibt darüber hinaus ein Werk mit bipolaren, CMOS-, DMOS- und BCD-Prozessen zur Wafer-Produktion.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®