AIXTRON und Institut Lafayette entwickeln gemeinsam organische Depositionstechnologie OVPD weiter

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AIXTRON und Institut Lafayette unterzeichnen Vereinbarung über Zusammenarbeit: Thierry Mandon (links, frz. Minister für Bildung und Forschung), Martin Goetzeler (rechts, Vorstandsvorsitzender AIXTRON SE)

AIXTRON SE (FSE: AIXA; NASDAQ: AIXG), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass am Institut Lafayette eine neue OVPD (Organic Vapor Phase Deposition)-Anlage des Unternehmens zur Herstellung von 200x200 mm-Substraten erfolgreich installiert und getestet wurde. Die Installation der speziell angefertigten Anlage ist ein wichtiger Meilenstein und bedeutet für das Institut Lafayette, das auf dem internationalen Campus des Georgia Institute of Technology in Metz (Frankreich) angesiedelt ist, einen weiteren Schritt in Richtung seiner vollständigen Betriebsbereitschaft.

Die neu getestete OVPD-Clusteranlage und das zuvor schon in Betrieb genommene MOCVD-System sind am Institut Lafayette die beiden zentralen Möglichkeiten zur Herstellung von Halbleitern. Sie vervollständigen den bestehenden Anlagenpark, der alle Schlüsseltechnologien für die Herstellung, Prüfung und Prototypenentwicklung opto-elektronischer Bauelemente abdeckt und in einem 500 m² großen Reinraum untergebracht ist.

AIXTRON’s OEC-200 OVPD-Anlage umfasst acht STExS-Quellen (Short Thermal Exposure Source), die feste organisch-elektronische Materialien mittels eines schnellen und effizienten Prozesses in die Gasphase überführen und dabei die für bestimmte Materialien schädliche Hitzebelastung minimieren. Die Materialien in der Gasphase werden unter Nutzung von AIXTRON’s Showerhead-Technologie in einem Reaktor unter niedrigen Vakuumbedingungen (Millibar-Bereich) durch ein kontrollierbares, heißes Trägergas auf die gekühlten Substrate abgeschieden. Die Taktung der mit dieser Technologie abgeschiedenen Materialien (bis zu 5 nm/s) lässt sich durch die Regelung des Materialflusses und der Materialkonzentration der heißen Gase im Showerhead anpassen. Dies ermöglicht eine bessere Kontrolle der Dicke und eine präzise Zusammensetzung der Filme. Die Reaktorkammer ist mit einer Vakuumkammer verbunden, die die Abscheidung von Metallelektroden für die Demonstration und Prüfung funktionierender Bauelemente erlaubt.

Mit seinen einzigartigen Eigenschaften verfügt das OVPD-Verfahren über das Potenzial die aktuell bestehenden Grenzen und Zweifel an der konventionellen Vakuumverdampfung (VTE) aufzuheben. Es könnte die zukunftsweisende Depositionstechnologie für die großflächige, kostensparende Produktion der zunehmend aufkommenden organischen Elektronikbauelemente sein, insbesondere der organischen Leuchtdioden (OLED) für Displays und Beleuchtung sowie organischer Photovoltaikbauelemente für die Erzeugung erneuerbarer Energie.

Die im OVPD-Prozess genutzte Showerhead-Technologie von AIXTRON besitzt den Vorteil, dass sie leicht skalierbar ist. Dies zeigen auch die jüngsten Testergebnisse der neuen Gen8-Demonstrationsanlage, die am Hauptsitz von AIXTRON in Herzogenrath ihren Betrieb aufgenommen hat.

Mit seinem eigenen Team von Ingenieuren im Bereich der organischen Elektronik sowie einzigartigen F&E Produktions- und Testeinrichtungen, ist das Institut Lafayette für erste Tests mit potenziellen Kunden gut gerüstet. Das IL bekennt sich zur weiteren Validierung der OVPD als der zukunftsweisenden Depositionstechnologie der Wahl.

Unter Anerkennung ihrer sich ergänzenden Stärken und der langen Geschichte in der Entwicklung von Halbleitermaterialien und -bauelementen sowie der Bereitstellung von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, haben das Institut Lafayette und AIXTRON eine Partnerschaft vereinbart. Eine entsprechende Absichtserklärung wurde am 8. April 2016 im Beisein von Thierry Mandon, französischer Minister für Bildung und Forschung, und Marianne Therre-Mano, deutsche Konsulin in Straßburg, sowie von Stefan Kern, Referatsleiter Wissenschaft und Technologie an der deutschen Botschaft, in Metz unterzeichnet.

Abdallah Ougazzaden, Professor am Georgia Institute of Technology und Co-Präsident des Institut Lafayette, sagt: „Wir sind sehr zufrieden mit der umfassenden Unterstützung durch AIXTRON während der Inbetriebnahme, Installation und Testphase sowohl unserer MOCVD- als auch der OVPD-Anlage. Basierend auf dieser vertrauensvollen Zusammenarbeit, sind wir äußerst zuversichtlich unsere gemeinsamen Ziele zu erreichen.“

„Wir freuen uns mit einer internationalen Forschungsinstitution wie dem Georgia Institute of Technology und dem Institut Lafayette zusammen zu arbeiten, um die Innovationen in der Optoelektronik sowie die Erforschung moderner Halbleitermaterialien mit unserer technisch führenden OVPD- und MOCVD-Produktionsanlagen zu unterstützen. Wir freuen uns auf eine lebhafte Partnerschaft zur Weiterentwicklung zukunftsorientierter und wegweisender Halbleitertechnologien“, erklärt Martin Goetzeler, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.

Bernard Kippelen, Professor am Georgia Institute of Technology und Co-Präsident des Institut Lafayette, sagt: „Mit unserer OVPD-Anlage die operative Phase erreicht zu haben, ist ein wichtiger Meilenstein für unsere neu geschaffene Innovationsplattform. Unsere Teams und Partner auf beiden Seiten des Atlantiks haben unermüdlich daran gearbeitet diesen Punkt zu erreichen. Es ist ein weiterer Beleg für die Stärke der langjährigen Partnerschaft zwischen dem Georgia Tech, der Stadt Metz und Lothringens.“organische-halbleiter

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Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®