Trifortune nutzt AIXTRON Technologie für GaN-LEDs auf alternativen Substraten

Mit einem AIX G5 HT-Reaktor von AIXTRON wird die Trifortune Electronic Technology Co. Ltd. aus der Provinz Jiangsu, China, künftig Galliumnitrid (GaN)-LEDs entwickeln. Die neue Anlage ist für die Verarbeitung von 56x2-Zoll-Wafer je Produktionslauf konfiguriert und wurde im Forschungszentrum des chinesischen Herstellers installiert. Nach Abschluss der Forschungsarbeiten soll der entwickelte Prozess in Jiangsu auf die Massenproduktion übertragen werden.

„Unser Fokus liegt auf der Entwicklung von GaN-basierten LEDs auf alternativen Substraten. Sie bieten einige Vorteile gegenüber den etablierten Saphirsubstraten“, erklärt der technische Leiter Dr. Hu von Trifortune. „Um im LED-Markt wettbewerbsfähig zu sein, sind maximale Erträge im Herstellungsprozess für uns ein Muss, damit wir Produkte mit besserer Leistung in Lumen pro Dollar anbieten können. Es ist allerseits bekannt, dass sich mit der AIX G5 HT von AIXTRON Spitzenerträge in der Massenproduktion von LEDs erzielen lassen und dass die Anlage gleichbleibende hervorragende Leistungsfähigkeit und hohe Wachstumsraten liefert.“

CTO Andreas Toennis von AIXTRON äußerte sich erfreut über die Bestellung von Trifortune:
„Gerne wird AIXTRON sein umfangreiches Know-how einbringen, damit unser Kunde erfolgreich ist und höchste Ausbeute in der Epitaxie erzielt.“

Die Trifortune Electronic Technology Co. Ltd mit Sitz in Jintan City, China, wurde im Mai 2013 gegründet. In der ersten Phase seines strategischen Geschäftsplans investierte das Unternehmen in eine Pilotproduktion in Shahe/Peking.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®