Sumitomo baut mit AIXTRON Anlage Produktionskapazitäten zur Herstellung von GaN-auf-SiC-Bauelementen aus

Herzogenrath, 03. Juni 2014 – Die Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (SEDI), Japan, hat eine AIXTRON CRIUS MOCVD-Anlage in einer 4-Zoll-Konfiguration bestellt, um die Produktion von Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-Bauelementen für Anwendungen in der Hochfrequenz-Datenübertragung zu steigern. Der Anlagenkauf wurde im ersten Quartal 2014 abgeschlossen, die Auslieferung an die Electron Devices Division von SEDI in Yokohama erfolgt im dritten Quartal.

Damit bereitet sich SEDI auf einen Nachfrageschub vor, der 2015 beginnen soll. Die Entscheidung für den AIXTRON Reaktor erfolgte aufgrund seines hervorragenden Rufes bei der Herstellung von gleichmäßig beschichteten 4-Zoll-Wafern sowie der präzisen Prozesssteuerung, was besonders wichtig für die Bauelemente-Produktion auf teuren Siliziumkarbid-Wafern ist. Die neue Anlage wird mit Zusatzfunktionalitäten wie der dynamisch einstellbaren Reaktorhöhe, der ARGUS In-Situ-Temperaturkontrolle und dem EpiCurveTT Messtechniksystem ausgestattet sein. Während ARGUS die präzise Temperaturmessung in Echtzeit auf der gesamten Waferoberfläche und damit die optimale Kontrolle des Wachstumsprozesses erlaubt, zeigt sich die erweiterte Flexibilität der Anlage in der Einstellbarkeit des Abstands zwischen Showerhead und Substrat.

Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. genießt in der Branche hohes Ansehen für die Herstellung hochwertiger Hochfrequenz-Komponenten. Das Unternehmen bietet für Radar- und Mobilfunk-Basisstationen sowie allgemeine Anwendungen bereits eine Reihe von High Electron Mobility Transistor-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid an. Diese GaN-auf-SiC HEMT-Bauelemente erzielen eine hohe Leistungsverstärkung bei Schaltfrequenzen bis zu 14 GHz HF.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®