Miniaturisierung der Stromversorgung: AIXTRON liefert MOCVD-Schlüsseltechnologie an NexGen Power Systems

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, wird NexGen Power Systems Inc. hochwertige MOCVD-Technologie für die weitere Entwicklung von GaN¹-basierten elektronischen Bauelementen liefern. Diese sollen den Bau kompakterer, leichterer und kostengünstigerer Leistungswandler ermöglichen. Zu diesem Zweck hat NexGen die Planetenanlage AIX G5 HT von AIXTRON bestellt: Die Auslieferung ist für Q3/2018 geplant.

In Bezug auf Ausbeute und Betriebskosten stellt die AIX G5 HT den aktuellen Standard für alle fortgeschrittenen GaN-Anwendungen dar. Als einzige MOCVD-Anlage auf dem Markt verfügt die AIX G5 HT über ein integriertes Wafer Level-Kontrollsystem. Damit ist sie die effizienteste Anlage für die Epitaxie von GaN-on-GaN, GaN-on-Si² und GaN-on-SiC³ für Leistungselektronik- und RF-Anwendungen. Die voll automatisierte Anlage bietet In-situ-Reinigung für beste Prozesssicherheit und Fehlerkontrolle und ist zudem mit dem neuesten Laytec InSide P400 UV-Pyrometer zur berührungslosen Temperaturmessung ausgestattet. In Verbindung mit AIXTRONs individuellem On-Wafer-Temperaturkontrollsystem Auto Feed-Forward (AFF) ermöglicht dies eine Anpassung aller Epitaxiewafer - sowohl innerhalb eines Produktionsdurchlaufs als auch bei aufeinanderfolgenden Produktionsdurchläufen („Run-to-Run“).

Dinesh Ramanathan, CEO von NexGen Power Systems, sagt: "Unsere disruptive True GaN™ VJFET (Vertical Junction Field Effect Transistor)-Technologie ist in der Lage, die Silizium-, Siliziumkarbid- oder GaN-on-Silicon-Technologie durch höhere Durchbruchspannung, geringeren On-Widerstand und höhere Schaltfrequenz in ihrer Leistung zu übertreffen. Die True GaN™ Leistungsbauelemente von NexGen ermöglichen das Design von kompakten Leistungswandlern und erhöhen gleichzeitig deren Effizienz bei Anwendungen in der Stromversorgung von Rechenzentren, in Motorantrieben, Solarwechselrichtern und der Antriebstechnik für Elektrofahrzeuge. AIXTRONs Planetentechnologie in Kombination mit seinem Batch-Reaktor-Konzept wird uns sowohl die notwendige Qualitätskontrolle als auch die Kosteneffizienz bieten, um eine schnelle Einführung unserer bahnbrechenden Leistungsbauelemente zu gewährleisten".

"Wir freuen uns darauf, die Anstrengungen von NexGen zu unterstützen, bestehende Leistungswandler zu revolutionieren. In den letzten Jahren haben sich unsere Planetenanlagen vom Typ AIX G5 HT einen guten Ruf als präzise, zuverlässige und kosteneffiziente Produktionsanlagen in der Halbleiterindustrie erworben und ermöglichen eine schnellere Einführung von GaN-Bauelementen in den von Silizium bestimmten Markt der Leistungsbauelemente.", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE.

¹GaN = Galliumnitrid, ²Si = Silizium, ³SiC = Siliziumkarbid

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