Infineon Technologies entwickelt hocheffiziente GaN-auf-Si-HEMT-Transistoren mit AIXTRON G5-Anlage

„Wir werden unsere Aktivitäten im Bereich GaN-auf-Si-Technologie verstärken. Unser Anspruch ist es, äußerst zuverlässige Bauteile von herausragender Qualität und Leistungsfähigkeit anbieten zu können", erklärt Dr. Franz Auerbach, Senior Director R&D für Power Management & Supply Discretes bei Infineon Technologies. „Wir wollen auch künftig führend im Bereich Umrichtungstechnologie sein und unseren Kunden dabei helfen, Energieverluste zu minimieren. Der Support von AIXTRON war hervorragend."

AIXTRON COO Dr. Bernd Schulte fügt hinzu: „Der Absatzmarkt für Komponenten der Leistungselektronik hat ein neues Niveau erreicht. Gefordert sind leistungsfähige und gleichzeitig kosteneffiziente Bauteile – Kriterien, die sich nicht immer ohne Weiteres miteinander vereinbaren lassen und daher nur mit einer überlegenen Prozesstechnologie umsetzbar sind. Es freut uns daher sehr, dass dieser renommierte Kunde alle Vorteile unserer fortschrittlichen G5-Technologie ausschöpfen wird."

¹ MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition =  Metall-organische Gasphasenabscheidung
² GaN-on-Si = Silizium-Wafer mit Galliumnitrid-Schicht
³ HEMT, High Electron Mobility Transistor / GaN-auf-Si HEMTs = GaN-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit auf Si-Substrat

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®