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03. Juni 2013 | Pressemeldungen
15. EWMOVPE-Workshop: Neue Impulse aus der Wissenschaft für grüne Technologien der Zukunft
Der traditionsreiche europäische Workshop zur metallorganischen Gasphasenepitaxie (EWMOVPE*) kehrt nach 26 Jahren nach Aachen zurück: Vom 2. - 5. Juni 2013 diskutieren Physiker, Chemiker, Materialwissenschaftler und Ingenieure aus Forschung und Industrie im Technologiezentrum am Europaplatz (TZA) über neue Möglichkeiten in der Halbleitertechnik. Wissenschaftler aus der Region leisten seit mehr als drei Dekaden einen entscheidenden Beitrag zum weltweiten Erfolg dieser Technologie.
Ausrichter des Workshops sind die Forschungsallianz JARA (Jülich Aachen Research Alliance), das Peter Grünberg Institut 9 (Forschungszentrum Jülich) und das Lehr- und Forschungsgebiet GaN-Bauelementtechnologie (GaN-BET) der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule (RWTH) Aachen. Von Industrieseite wird die Veranstaltung vom Anlagenhersteller AIXTRON unterstützt. Das Unternehmen ging 1983 mit dieser Technologie als Spin-Off aus der RWTH Aachen hervor und hat sich mit der Entwicklung und Produktion von MOVPE-Anlagen zum Weltmarktführer auf diesem Gebiet entwickelt.
Ziel der viertägigen Tagung ist es, das Verständnis der Technologie zu verbessern und Ansätze für neue Materialverbindungen mit maßgeschneiderten physikalischen Eigenschaften zu entwickeln, insbesondere mit Blick auf energiesparende, „grüne“ Technologien.
RWTH Aachen rief den ersten EWMOVPE-Workshop 1987 ins Leben
„Ohne die Entwicklung des MOVPE-Verfahrens hätte es viele wichtige Fortschritte in der Nano- und Optoelektronik nicht gegeben", so Dr. Hilde Hardtdegen vom Forschungszentrum Jülich. „Auf diesem Verfahren basieren der optische Datentransfer, LEDs für die Beleuchtungstechnik sowie energie-effiziente elektronische und optoelektronische Bauelemente." Die promovierte Chemikerin ist Gruppenleiterin für Gasphasenepitaxie in Jülich und seit 1998 Mitglied im Programmkomitee der EWMOVPE. Bereits in den siebziger Jahren hatte ihr Vater, Professor Pieter Balk, am Lehrstuhl für Halbleitertechnik an der RWTH die Gasphasenepitaxie intensiv weiterentwickelt und bis zur Industriereife vervollkommnet. Er entwickelte nicht nur das Format einer europäischen Plattform zum Austausch zwischen Wissenschaft und Industrie, sondern organisierte auch 1987 den ersten europäischen EWMOVPE-Workshop in Aachen.
Die AIXTRON Gründer Dr. Meino Heyen und Dr. Holger Jürgensen - heute Ehrenvorsitzender des AIXTRON Aufsichtsrats - schrieben die Erfolgsgeschichte des heute weltweit genutzten MOVPE-Verfahrens fort. Beide hatten am Institut für Halbleitertechnik der RWTH bei Professor Balk promoviert und dort ihre erste MOVPE-Forschungsanlage entwickelt.
"Wir brauchen die Inspiration der Wissenschaft"
„Ich freue mich, die langjährige erfolgreiche Tradition der Halbleiterepitaxie als Grundlage für neue Bauelemente an der RWTH Aachen weiterzuführen", erklärt Professor Andrei Vescan, Leiter des Lehr- und Forschungsgebiets GaN-Bauelementtechnologie. „Bis heute ist die Region Aachen im Rahmen der Jülich-Aachen Research Alliance mit einer Vielzahl von Forschungsaktivitäten in diesem Bereich aktiv und beschäftigt sich mit grundlegenden Fragen der Abscheidung neuer Materialien über die Entwicklung neuer Abscheidungsprozesse bis hin zu neuen Bauelementkonzepten für energieeffiziente Beleuchtung und Leistungselektronik. Als Nächstes werden Bauelemente und Anwendungen auf Basis von Galliumnitrid-auf-Silizium auf den Weg zu kommerziellen Produkten gebracht."
„Wir brauchen die Inspiration der Wissenschaft", so Dr. Frank Schulte, Vice President Europe bei AIXTRON. „Die Beiträge in diesem Jahr bewegen sich auf sehr hohem wissenschaftlichen Niveau und müssen auch den internationalen Vergleich keineswegs scheuen." Ansätze wie die Weiterentwicklung der sogenannten Nanosäulen oder von GaN-basierten LEDs auf großflächigen Siliziumwafern haben das Potenzial, Technologieschritte zu überspringen und in einigen Jahren kommerzielle Verwendung zu erreichen.
„Der EWMOVPE-Workshop ist ein herausragendes Beispiel für das erfolgreiche Zusammenspiel von Wissenschaft und Industrie", sagt Prof. Dr. Sebastian M. Schmidt, Mitglied des Vorstands des Forschungszentrums Jülich. „Die Zusammenarbeit von RWTH Aachen und Forschungszentrum Jülich produziert nachweisbar wissenschaftliche Spitzenergebnisse, die als Innovationsschub in die Industrie einfließen."
Die Gasphasenepitaxie (MOVPE) - bei der kristalline Schichten von sehr hoher Qualität hergestellt werden - ist heute das wichtigste Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen und elektronischen Bauelementen, die aus komplexen Halbleiter-Heterostrukturen bestehen. Die Produktion moderner Halbleiter-Lichtquellen wie Leuchtdioden und Laser, von Hochfrequenztransistoren für Mobiltelefone, aber auch von Hochleistungssolarzellen oder Bauelementen für Spannungswandler oder Netzteile, beruhen auf diesem Verfahren. |
*EWMOVPE, European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy = Europäischer Workshop zur metallorganischen Gasphasenepitaxie |
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®
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