Elite Advanced Laser erhöht Kapazität mit AIX G5+ C

AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass die Elite Advanced Laser Corporation (eLASER), ein führender Anbieter von elektronischen Produktionsdienstleistungen (Electronics Manufacturing Services, EMS) für moderne Optoelektronik- und Hochfrequenzkomponenten aus Taiwan, einen Folgeauftrag über die Lieferung einer AIX G5+ C Anlage zur Herstellung von Epitaxie-Wafern und Bauelementen für die Anwendung in der Leistungselektronik erteilt hat.

Die Produktionsanlage wird in der zweiten Jahreshälfte 2017 installiert und ergänzt damit die derzeitigen Produktionskapazitäten von eLASER. Die Anlage verfügt über die Penta-Injektor-Technologie, die höchste Materialhomogenität über den gesamten Durchmesser des Wafers hinweg gewährleistet. Das System ist darüber hinaus mit dem Wafer-Transfermodul für den Kassettenbetrieb (Cassette-to-Cassette, C2C) zur vollen Automatisierung der Galliumnitrid-basierten (GaN) Produktionsprozesse ausgestattet.

„Wir waren beeindruckt von der Geschwindigkeit, in der eLASER seine Produktionsprozesse für die Herstellung von Bauelementen auf unsere Anlagentechnologie übertragen hat. Daher sind wir davon überzeugt, dass der jüngste Erwerb unserer AIX G5+ C Anlage, die sich bei führenden Herstellern von GaN-Leistungselektronik zur Referenzanlage entwickelt hat, das Ziel des Unternehmens, weitere Marktanteile in der GaN-Leistungselektronik zu gewinnen, unterstützen wird. Die Anlage bietet Konfigurationen von 8x150 mm und 5x200 mm und erfüllt  härteste Anforderungen seitens der Siliziumindustrie hinsichtlich Homogenität und Partikel. Damit überwindet die AIX G5+ C Anlagentechnologie von AIXTRON die Hürden zur Einführung von Galliumnitrid in die Produktionslinien der Siliziumindustrie“, sagt Dr. Bernd Schulte, Vorstandsmitglied der AIXTRON SE.

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