Air Water entwickelt GaN-auf-SiC-Verfahren auf Siliziumsubstraten mit AIXTRON Anlage

Aachen, 29. August 2013 – Die Air Water Inc. in Azumino, Japan, hat einen voll automatisierten 8x6-Zoll AIX G5 HT-Planetenreaktor zur Entwicklung von Galliumnitrid (GaN)-basierten Epitaxieschichten installiert. 

Die Fähigkeit der AIXTRON Anlage, Materialien von überragender Homogenität zu liefern, sei ein entscheidendes Kriterium für die Bestellung gewesen, so der japanische Hersteller, der damit die Vorzüge seiner eigenentwickelten Substrate für die GaN-Epitaxie optimal nutzen kann. Noch in diesem Jahr will Air Water Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) auf Siliziumsubstraten anbieten und die hervorragende Produktivität der AIXTRON Anlage vollständig ausschöpfen. Darüber hinaus gibt es Überlegungen, die Anlage mit der AIX G5+-Technologie für bis zu 5x200 mm (8-Zoll) Siliziumsubstrate zu erweitern, um auch künftige Marktanforderungen abdecken zu können. 

Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumsubstraten dient die zusätzliche Siliziumkarbidschicht als Schutzschicht des Siliziumsubstrats im GaN-Epitaxieprozess. Aufgrund seiner Kristallstruktur eignet sich Siliziumkarbid besonders für den GaN-Anwachsprozess. Die auf diese Weise entwickelten großflächigen GaN-Schichtstrukturen sind von hoher kristalliner Qualität und dürften zahlreiche LED-Anwendungen wie auch die Leistungselektronik effizienter und erschwinglicher machen. 

Air Water ist einer der führenden Hersteller von Industriegasen in Japan und hat bereits Siliziumkarbid auf Siliziumwafern für Hochleistungsbauelemente und LED-Anwendungen für die Verbindungshalbleiterindustrie entwickelt. Das Unternehmen hat 3C-SiC auf bis zu 8-Zoll-Siliziumsubstraten erfolgreich hergestellt und kündigte nun an, vergleichbare Produkte auch für Galliumnitrid (GaN) fertigen zu wollen. Diese Materialien werden vor allem für die Herstellung von elektronischen Bauelementen für LEDs und für Anwendungen in der Leistungselektronik nachgefragt.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Atomic Level Solutions®, Close Coupled Showerhead®, CRIUS®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, Trijet®