AIXTRON liefert QXP 8300 ALD-Anlage der nächsten Generation nach Korea

AIXTRON AG / Produkteinführung/Vertrag

15.06.2010 09:32

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AIXTRON liefert QXP 8300 ALD-Anlage der nächsten Generation nach Korea 

Aachen, 15. Juni 2010 - Die AIXTRON AG (FWB: AIXA; NASDAQ: AIXG) hat eine
QXP 8300 ALD-Anlage an einen großen koreanischen DRAM(1)-Hersteller
ausgeliefert. Die Inbetriebnahme der Anlage beim Kunden wird bis zum Ende
des zweiten Quartals 2010 erfolgen.

'Die QXP 8300 wird unseren Produktionstechnologien der nächsten Generation
enorme Schubkraft  verleihen' versichert Dr. Sasangan Ramanathan,
technischer Leiter bei AIXTRON Inc. 'Die Bestellung aus Korea ist insofern
bemerkenswert, als dass dieser führende Hersteller weithin für seine
Fähigkeit bekannt ist, sowohl Technologien nach vorne zu bringen als auch
Produktionsgrenzen nach oben zu verschieben. Dass die AIXTRON Anlage im
Wettbewerb jetzt die Nase vorn hat, beweist, dass die QXP 8300 in beiden
Bereichen den gewünschten Wertbeitrag liefert.'

Die QXP 8300 kombiniert AIXTRONs einzigartige Technologie des Transports
von Quellenmaterialien in den Reaktor mit der perfektionierten und
patentierten AIXTRON Showerhead-Technologie, die weltweit von einer
breiten, stetig wachsenden Kundenbasis eingesetzt wird.

Dr. Bernd Schulte, COO AIXTRON, bewertet die Bestellung 'als den nächsten
wichtigen Meilenstein für die QXP 8300 und folglich auch für die steigende
Verbreitung unserer ALD-Technologie.'

Das weltweite steigende Interesse an dieser Anlage, insbesondere an der
patentgeschützten Technologie des Transports von Quellenmaterialien, zeige,
so Dr. Schulte weiter, 'dass die Branche 2010 wieder an Dynamik gewinnt und
Kunden ihr Wachstum auf innovative, produktionserprobte und wirtschaftliche
Technologie gründen. Dies ist womöglich in keinem anderen Bereich
entscheidender als bei der Abscheidung von high-k(2)- und Metallfilmen der
nächsten Generation - wir freuen uns, Lösungsanbieter für diese
Herausforderung zu sein.'

(1) Dynamic Random Access Memory = Dynamisches RAM, eine Technologie für
einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff
(2) High-k-Schichten = Halbleiterschichten mit höherer dielektrischer
Konstante (k)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ:
AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com
verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen
Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der 'Safe
Harbor'-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation
Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie 'können', 'werden', 'erwarten',
'rechnen mit', 'erwägen', 'beabsichtigen', 'planen', 'glauben',
'fortdauern' und 'schätzen', Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche
Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die
zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und
Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie
die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange
Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten
gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die
tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren
zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical
Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme
von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die
Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen
für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld;
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen;
Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen
beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs;
Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel;
Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der
Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine
wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in
dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit
im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung
zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen
neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen,
ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen
Verpflichtung.

Kontakt:
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AIXTRON AG, Kaiserstr. 98, 52134 Herzogenrath, Germany
Phone: +49 241 8909 444, Fax: +49 241 8909 445, invest@aixtron.com
www.aixtron.com




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