AIXTRON erreicht ehrgeizige Produktivitätsziele bei Epistar mit neuem AIXTRON-Anlagentyp G5

AIXTRON AG / Produkteinführung/Kooperation

22.02.2010 08:32

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AIXTRON erreicht ehrgeizige Produktivitätsziele bei Epistar mit neuem
AIXTRON-Anlagentyp G5

Aachen / Hsinchu, 22. Februar 2010 - (AIXTRON AG: FSE: AIXA, ISIN
DE000A0WMPJ6; NASDAQ: AIXG, ISIN US0096061041) AIXTRONs neue
Anlagen-Generation AIX G5 HT erreicht ausgezeichnete Depositionsraten von
über 6 µm/h mit exzellenter GaN/InGaN-Homogenität bei einem Reaktordruck
höher 600 mbar, ohne Ausheizen der Beschichtungskammer und ohne Austauschen
der Teile. Das taiwanesische Unternehmen Epistar (Hsinchu Science-based
Industrial Park) hat die Epitaxie mit der neu eingeführten MOCVD*-Anlage
durchgeführt, die jetzt für den Betrieb in der Massenproduktion vorbereitet
wird.

Die neue AIX G5 HT-Plattform trumpft nicht nur mit der größten kommerziell
verfügbaren Waferkapazität von 56x2-Zoll / 14x4-Zoll / 8x6-Zoll auf.
Bahnbrechende Neuerungen beim Anlagendesign erlauben hohe Wachstumsraten
und aufeinander folgende Produktionsläufe ohne Ausheizen des Reaktors oder
Austauschen von Reaktorteilen. Verglichen mit Vorgänger-Systemen konnte der
Durchsatz bei gleichzeitig hoher Qualität mehr als verdoppelt werden.

Die neue Anlage bildet damit die derzeitige Qualitätsspitze in punkto
Prozessflexibilität und  stabilität. Sie kann schneller in die Produktion
überführt werden als jede andere Anlage und zeigt eine hervorragende
Reproduzierbarkeit der Prozesse von Anlage zu Anlage. Der einfache
Prozesstransfer ist einer der Schlüsselfaktoren im schnell wachsenden
MOCVD-Markt, dem nur eine begrenzte Anzahl Prozessexperten zur Verfügung
steht.

'AIXTRON hatte hoch gesteckte Entwicklungsziele für die neue
Anlagen-Generation bei Unterzeichnung unserer Kooperationsvereinbarung',
sagt Epistar-Vorstand Dr. Ming-Jiunn Jou. 'Sie sind in einem
bemerkenswerten Tempo umgesetzt worden. Mit den jetzt erreichten
Homogenitätsgraden sind wir zuversichtlich, unseren Produktionsertrag mit
diesem MOCVD Reaktor erheblich steigern zu können.' Man wolle nun
'schnellstens mit dieser Anlage produzieren, um die neuen Vorteile
auszuschöpfen.'

Gerd Strauch, Corporate Product Design & Engineering, leitet beim
Anlagenbauer AIXTRON die Planetary Reactor(R)-Entwicklung: 'In der Tat bin
ich sehr zufrieden mit den schnellen Fortschritten bei Epistar. Sie zeigen,
dass wir mit dem zielorientierten Design der neuen Reaktorkammer, unserer
innovativen CFD**-Modellierung und der Anlagenqualifizierung in unserem
Labor gute Arbeit geleistet haben. Es ist uns gelungen, die
Epitaxiequalität aus unserem Labor 1:1 auf die Epistar-Anlage zu
übertragen.'

*MOCVD, Metal Organic Chemical Vapor Deposition = Metall-organische
Gasphasenabscheidung
**CFD, Computational Fluid Dynamics = Numerische Strömungsmechanik 

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6; NASDAQ:
AIXG, ISIN US0096061041) sind im Internet unter http://www.aixtron.com
verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen
Diese Mitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON im Sinne der 'Safe
Harbor'-Bestimmungen des US-amerikanischen Private Securities Litigation
Reform Act von 1995 enthalten. Begriffe wie 'können', 'werden', 'erwarten',
'rechnen mit', 'erwägen', 'beabsichtigen', 'planen', 'glauben',
'fortdauern' und 'schätzen', Abwandlungen dieser Begriffe und ähnliche
Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Die
zukunftsgerichteten Aussagen geben unsere gegenwärtigen Beurteilungen und
Annahmen wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Die nachgenannten Faktoren ebenso wie
die weiteren in den von AIXTRON bei der U. S. Securities and Exchange
Commission eingereichten öffentlichen Berichten und Meldungen genannten
gehören zu denjenigen Faktoren, die zur Folge haben können, dass die
tatsächlichen und künftigen Ergebnisse und Trends wesentlich von unseren
zukunftsgerichteten Aussagen abweichen: Die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge; der Umfang der Marktnachfrage nach Chemical
Vapor Deposition (CVD)-Technologie; der Zeitpunkt der endgültigen Abnahme
von Erzeugnissen durch die Kunden; das Finanzmarktklima und die
Zugangsmöglichkeiten zu Finanzierungen; die allgemeinen Marktbedingungen
für Dünnfilmbeschichtungs-Anlagen und das makroökonomische Umfeld;
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen;
Einschränkungen der Produktionskapazität; lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen; Schwierigkeiten im Produktionsprozess; Veränderungen
beim Wachstum der Halbleiterindustrie; Verschärfung des Wettbewerbs;
Wechselkursschwankungen; Verfügbarkeit öffentlicher Mittel;
Zinsschwankungen bzw. verfügbare Zinskonditionen; Verzögerungen bei der
Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte; schlechtere allgemeine
wirtschaftliche Bedingungen als erwartet und sonstige Faktoren. Die in
dieser Mitteilung enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen haben Gültigkeit
im Zeitpunkt dieser Mitteilung und AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung
zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen
neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen,
ausgenommen bei Bestehen einer entsprechenden rechtlichen
Verpflichtung.

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